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文檔簡(jiǎn)介
1、KDP晶體是一種性能優(yōu)良的非線性光學(xué)晶體材料,因其具有較大的非線性光學(xué)系數(shù)、較高的激光損傷閾值、較寬的透光波段、優(yōu)良的光學(xué)均勻性、易于實(shí)現(xiàn)相位匹配、易于生長(zhǎng)等特點(diǎn),而被廣泛地用作光學(xué)頻率轉(zhuǎn)換器件以及光電開(kāi)關(guān)元件。但是,KDP晶體生長(zhǎng)以及后續(xù)的超精密加工過(guò)程中,會(huì)形成各種缺陷和表面特征,嚴(yán)重地影響著晶體的激光損傷閾值等光學(xué)性能。例如,生長(zhǎng)過(guò)程中形成的各類包裹體缺陷以及單點(diǎn)金剛石銑削后表面形成的小尺度波紋等。因此,研究這些缺陷對(duì)其激光損傷閾
2、值的影響規(guī)律和程度大小,不僅可以進(jìn)一步解釋 KDP晶體的激光損傷機(jī)理,還可為提高光學(xué)性能提供理論基礎(chǔ)和參數(shù)依據(jù),進(jìn)一步指導(dǎo)快速生長(zhǎng)工藝的改進(jìn)以及加工參數(shù)的合理選取,以滿足目前激光核聚變裝置對(duì) KDP晶體光學(xué)元件所提出的苛刻要求,對(duì)慣性約束核聚變(Inertial Confinement Fusion,ICF)工程至關(guān)重要。
本文首先對(duì)采用時(shí)域有限差分方法(Finite Difference Time Domain,F(xiàn)DTD)建
3、模過(guò)程中所涉及到的空間和時(shí)間步長(zhǎng)選擇、吸收邊界條件和周期性邊界條件設(shè)置等相關(guān)內(nèi)容進(jìn)行分析,并建立平面電磁波垂直投射到光滑的和鍍膜的KDP晶體表面的分析模型,采用FDTD方法求解晶體內(nèi)部的光強(qiáng),與公式計(jì)算結(jié)果以及薄膜增透理論進(jìn)行對(duì)比驗(yàn)證,為后續(xù)的分析工作做了鋪墊。
然后闡述小尺度波紋的產(chǎn)生和提取,分析小尺度波紋、凹坑和包裹體對(duì)KDP晶體內(nèi)部光強(qiáng)分布的影響規(guī)律和程度大小。結(jié)果表明:小尺度波紋、凹坑和包裹體會(huì)使晶體內(nèi)部的衍射場(chǎng)發(fā)生畸
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