BCD工藝下DVD光學頭中單片集成PDIC的研制.pdf

1、光盤存儲技術在信息社會中發(fā)揮著越來越重要的作用，PDIC(PhotodetectorIntegrated Circuit)是光盤存儲系統(tǒng)光學頭的關鍵元件之一。與傳統(tǒng)混合集成的PDIC相比，單片光電集成的PDIC具有低成本、高性能的優(yōu)勢，現(xiàn)已成為硅基光電集成(OEIC)研究的一個熱點。雖然全球絕大部分光學頭生產(chǎn)廠商都在中國大陸，但PDIC芯片都依靠進口。相比國外，國內(nèi)對于該技術的研究還處在起步階段，因此研究單片光電集成的PDIC對于打破國

2、外壟斷、提高我國DVD光學頭產(chǎn)業(yè)的整體技術水平及核心競爭力具有一定的積極意義。
　　 商業(yè)化的BCD(Bipolar CMOS DMOS)工藝比標準CMOS工藝多了一個N型埋層，N型外延層中雜質(zhì)摻雜濃度較低，利用這一特點可以構建P+/N型外延層/N阱埋層(類似PIN)結(jié)構的光電探測器。因此，本文采用低成本的0.5μmBCD工藝研制了用于DVD機的單片集成PDIC，主要的工作內(nèi)容如下：
　　 1．從低成本角度出發(fā)，利用BC

3、D工藝埋層的BN+特點設計了與工藝完全兼容的適合650nm波長的P+/N-EPI/BN+光電探測器，并給出一個完整的等效電路模型。
　　 2．設計了基于互補式自偏置差分放大器(CSDA)結(jié)構的三級負反饋跨阻放大器。為了提高負載能力設計了一個兩級運放作為單位增益緩沖器。采用Spectrer軟件對負反饋跨阻放大器進行了仿真設計。
　　 3．為了抑制電源擾動對跨阻放大器的性能影響，設計了一種低壓線性穩(wěn)壓器(LDO)。仿真結(jié)果表

4、明其輸出電壓可以達4.36V，有較好的電源抑制比。
　　 4．采用Cadence軟件完成單片集成PDIC的版圖設計，并在無錫華潤上華流片加工。版圖面積約981×1982μm2。
　　 5．根據(jù)實驗室的測試條件對流片回來芯片進行了兩種形式的封裝，并做了具體的測試。測試結(jié)果：2.5V反向偏壓下，PIN探測器結(jié)電容約為0.356PF，650nm波長的響應度約0.185A/W，PDIC中A～D部分的帶寬65MHz左右，響應度為2

5、1.82mV/μW～28.08mVu/μW；E、F部分的響應度為42.29mV/μW～47.31mV/μW:輸出失調(diào)電壓均小于20mV；功耗約130mw。所測指標均能達到設計要求。
　　 本文在國內(nèi)條件下采用低成本的標準BCD工藝自主完成了DVD光學頭中PDIC的光電單片集成，研制過程中克服了Si基光電集成中的難題：
　　 1．成功解決Si基光電集成的難點---利用標準BCD工藝研制出高性能(高探測靈敏度，高傳輸速率)的