高壓BCD技術(shù)的工藝開發(fā)和器件性能的研究.pdf

1、BCD工藝(Bipolar+CMOS+DMOS)是通過技術(shù)轉(zhuǎn)移并在ASMC開發(fā)的一種高壓混合工藝，本文針對它的一些關(guān)鍵工藝進(jìn)行了優(yōu)化和研究。通過大量的實驗，對其中的Epi工藝的優(yōu)化、LDMOS開啟不對稱、基區(qū)工藝調(diào)整和背金等四個關(guān)鍵問題進(jìn)行了研究，并進(jìn)行了解決，大幅度提高了產(chǎn)品的穩(wěn)定性和良率。 由于外延是BCD工藝中一個基本而且非常重要的步驟，本文針對器件漏電的現(xiàn)象，分析了外延的原理及工藝的研究，找到了解決問題的方法。漏電的原因

2、是釙延工藝前，村底表面不夠清潔，導(dǎo)致外延生長過程中產(chǎn)生了缺陷，從而導(dǎo)致PN結(jié)之間有漏電。根據(jù)此結(jié)論，改進(jìn)了外延前清洗工藝，調(diào)整了外延條件獲待了良好的效果。 其次，為了解決LDMOS開啟不對稱的問題，對LDMOS工藝原理和注入工藝進(jìn)行研究，作了數(shù)據(jù)分析。實驗數(shù)據(jù)表明，MOS管溝道長度在2微米以下，就會產(chǎn)生短溝道效應(yīng)。而在多晶硅自對準(zhǔn)注入工藝中，多晶硅會對注入產(chǎn)生陰影作用，對注入角度的要求很高，會影響短溝道MOS的開啟：通過改進(jìn)多晶

3、硅的斜坡和注人工藝，解決了LDMOS開啟不對稱，提高了良率。 然后，BCD工藝是雙極型和場效應(yīng)管的組合，有些層次被兩種管子共享，所以這些層次的工藝精度要求就很高，特別是基區(qū)，既是雙極型的基區(qū)，又是場效匝管的源漏，還是LDMOS的村底，所以是重中之重，調(diào)整起來要全面兼顧，難度很大。通過大量的試驗和分組，選擇了最佳工藝，使得各個管子的電參數(shù)都能滿足客戶的要求。 最后，由于是高壓工藝，功耗很大，所以要做一步背面金屬化工藝，以提