NAND Flash控制器中BCH編譯碼器的設計與硬件實現(xiàn).pdf

1、NANDFlash是一種非易失存儲器,具有很高的存儲密度,寫入和擦除速度較快,廣泛應用于各種消費電子產(chǎn)品和其他存儲設備。目前NANDFlash的架構已經(jīng)從SLC發(fā)展到MLC甚至是TLC,NANDFlash的制造工藝發(fā)展到25nm甚至是20nm的水平,這意味著NANDFlash中發(fā)生隨機錯誤的幾率越來越大,因此,NANDFlash設備中需要有更強糾錯能力的ECC算法。
　　BCH碼是一種循環(huán)線性分組碼,它具有強大的糾錯能力,能糾正多

2、位隨機錯誤,而且,其構造簡單,易于實現(xiàn),因此,在糾錯領域擁有廣泛的應用。為了糾正NANDFlash芯片中發(fā)生的錯誤,本文設計了能夠糾正1K字節(jié)數(shù)據(jù)中32位隨機錯誤的BCH碼,并硬件實現(xiàn)了該BCH碼的編譯碼器。
　　本文系統(tǒng)地論述了BCH碼編譯碼器的設計過程和實現(xiàn)電路。首先從BCH碼的數(shù)學理論基礎推導出本文采用的BCH碼的生成多項式,在此基礎上設計了8位并行BCH編碼器,針對并行編碼器的組合邏輯部分在碼長較長時比較復雜,采用子表達式