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![用于ICF光學(xué)系統(tǒng)靜態(tài)波前畸變校正的相位板研究.pdf_第1頁(yè)](https://static.zsdocx.com/FlexPaper/FileRoot/2019-3/16/17/3f19cfed-88c0-48ac-828b-42c4ee87a657/3f19cfed-88c0-48ac-828b-42c4ee87a6571.gif)
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1、在激光慣性約束聚變(Inertial Confinement fusion,ICF)裝置中,靜態(tài)波前畸變是引起光束質(zhì)量下降的重要因素。利用微光學(xué)工藝技術(shù)在基底表面加工出連續(xù)面形的位相校正板,用于ICF光學(xué)系統(tǒng)波前畸變的校正,對(duì)提高光束質(zhì)量、降低系統(tǒng)造價(jià)具有重要意義。通過(guò)接近接觸式曝光系統(tǒng),采用調(diào)頻隨機(jī)點(diǎn)陣分布編碼的灰度掩模方式,根據(jù)位相分布設(shè)計(jì)灰度掩模的編碼,獲得了光刻膠曝光強(qiáng)度的灰度掩模線性調(diào)制,獲得連續(xù)浮雕面型的光刻膠圖形,效果良好
2、。該方法較幅度調(diào)制編碼掩模的優(yōu)點(diǎn)在于:灰度等級(jí)更高、掩模制作誤差小,在光刻膠上獲得的浮雕結(jié)構(gòu)表面光滑。通過(guò)對(duì)電感耦合等離子體(ICP)刻蝕技術(shù)的研究,提出了ICP深刻蝕的工藝參數(shù)匹配模型,建立起一個(gè)普遍適用的工藝優(yōu)化模型,從而使工藝參數(shù)、氣體組分與位相校正板的質(zhì)量有了有機(jī)的聯(lián)系,獲得了大浮雕深度保真?zhèn)鬟f的工藝途徑,并對(duì)大口徑連續(xù)面型光刻膠圖形進(jìn)行傳遞,制作出口徑為φ99mm、面形連續(xù)、表面光沽度小于10nm的ICF靜態(tài)波前畸變校正器。本
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