電熱SnO-,2-薄膜的制備及性能研究.pdf

1、本文以結(jié)晶四氯化錫(SnCl4·5H2O)、三氯化銻(SbCl3)、結(jié)晶硝酸鋁(Al(NO3)3·9H2O)、乙醇(C2H5OH)、去離子水為原料，制備多元摻雜的凝膠，將凝膠分別涂敷于玻璃基片和陶瓷基片上，通過合適的熱處理工藝制得與基體附著良好的多元摻雜SnO2基導(dǎo)電薄膜。 對玻璃基體薄膜的成膜工藝進行了對比研究。玻璃基體薄膜的焙燒溫度應(yīng)該在500～550℃之間，以得到較好的透光性；初始反應(yīng)物中Sb含量應(yīng)該在6～9％之間，以得到

2、較低的薄膜電阻；焙燒成膜后保溫時間應(yīng)該在30～60min之間。 對陶瓷基體薄膜的成膜工藝進行了對比研究。陶瓷基體薄膜的焙燒溫度應(yīng)該在450～500℃之間，以得到好的薄膜外觀；初始反應(yīng)物中Sb含量應(yīng)該在3～12％之間，以得到較低的薄膜電阻；焙燒成膜后保溫時間應(yīng)該在30～60min之間。 使用掃描電鏡(SEM)對兩種基體薄膜的表面形貌進行了觀察。玻璃基體表面薄膜比較致密，基本沒有孔洞出現(xiàn)，組成薄膜的顆粒呈球形，顆粒大小比較均

3、勻，顆粒直徑在1μm左右。陶瓷基體表面薄膜比較致密，基本沒有孔洞出現(xiàn)，組成薄膜的顆粒大多呈具有較平滑棱角的多面體狀，顆粒大小在50～400nm之間。使用X射線衍射儀對薄膜的結(jié)晶狀況進行了分析，發(fā)現(xiàn)玻璃基體和陶瓷基體表面的薄膜均為晶態(tài)。使用Alpha-200表面輪廓儀測玻璃基體表面薄膜厚度，測得薄膜厚度在1μm左右。使用WS-2004涂層附著力自動劃痕儀測量薄膜的附著力，玻璃基體和陶瓷基體上的薄膜均與基體結(jié)合緊密，附著良好。使用Bio-R