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1、低維納米材料作為器件和材料的基本構(gòu)成單元對(duì)集成電路和功能性元件的構(gòu)筑,將起到十分重要的作用,其制備和加工是納米技術(shù)領(lǐng)域的重要組成部分。靜電紡絲技術(shù)因其高效、操作簡(jiǎn)單等優(yōu)點(diǎn),近年來(lái)已成為制備無(wú)機(jī)氧化物低維納米材料的重要方法之一。La2M2O7(M=Ti,Zr,Sn)本身具有的光學(xué)透明性,稀土離子摻雜La2M2O7(M=Ti,Zr,Sn)的納米發(fā)光材料也受到人們的廣泛關(guān)注。因此,采用靜電紡絲技術(shù)制備稀土離子摻雜La2M2O7(M=Ti,Zr
2、,Sn),低維納米發(fā)光材料將是一個(gè)有意義、重要的研究課題。
本文中以聚乙烯吡咯烷酮和無(wú)機(jī)鹽為原料,通過(guò)溶膠-凝膠過(guò)程制備出具有一定粘度的前驅(qū)體溶膠,并采用靜電紡絲技術(shù)制備了PVP/無(wú)機(jī)鹽復(fù)合纖維及復(fù)合納米帶,經(jīng)過(guò)熱處理得到了La2Ti2O7:Eu3+納米纖維、納米帶,La2Zr2O7納米纖維,La2Zr2O7:RE3+(RE=Er,Yb/Er)納米帶、納米纖維,La2Zr2O7:RE3+(RE=Eu,Tb)納米纖維,La2Sn
3、2O7納米纖維,采用TG-DTA、XRD、FTFIR、FESEM、TEM、UV-Vis和熒光光譜等技術(shù)對(duì)樣品進(jìn)行了表征。結(jié)果表明,所制備的稀土離子摻雜的La2M2O7(M=Ti,Zr)納米帶為納米短棒或粒子組成,寬厚比大,平均帶寬3-5μm,厚度約90-140nm。所制備的稀土離子摻雜的La2M2O7(M=Zr,Sn)納米纖維尺寸均一,彼此沒(méi)有交聯(lián),沒(méi)有斷裂,纖維直徑平均為140-180nm。獲得了一些有意義的研究結(jié)果,為進(jìn)一步深入研究
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