高G值MEMS加速度傳感器的封裝研究.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、隨著MEMS技術(shù)的不斷發(fā)展，MEMS器件對封裝的可靠性、穩(wěn)定性、封裝成本等方面的要求不斷提高，因此圓片級封裝成為MEMS封裝技術(shù)發(fā)展的必然趨勢。本文針對高G值MEMS加速度傳感器的封裝進(jìn)行了系統(tǒng)研究，在真空封裝理論、設(shè)備和工藝方面作了一些探討，具體研究內(nèi)容如下：
　　(1)運用真空物理相關(guān)理論分析了MEMS封裝腔體內(nèi)的真空度與氣體吸附和脫附、氣體通過小孔的流動之間的關(guān)系，同時研究了MEMS圓片級真空封裝的基本工藝原理。
　　

2、(2)在真空封裝機(jī)上研究了真空環(huán)境的靜電鍵合工藝，實驗結(jié)果表明該工藝具有良好的鍵合質(zhì)量，其變形和應(yīng)力更小。
　　(3)對基于BCB的圓片級封裝工藝進(jìn)行了研究，它代表了MEMS加速度計傳感器封裝的發(fā)展趨勢，是MEMS加速度計產(chǎn)業(yè)化的關(guān)鍵所在。選用3000系列BCB材料進(jìn)行MEMS傳感器的粘結(jié)鍵合工藝試驗，解決了圓片級封裝問題，在低溫(250℃)和適當(dāng)壓力輔助下(≤2.5Bar)實現(xiàn)了加速度計的圓片級封裝，并對相關(guān)的旋涂、鍵合、氣氛、

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