高穩(wěn)定性Ni-Cr薄膜電阻的研究.pdf

1、隨著片式電阻向高穩(wěn)定性和低溫度系數(shù)方向的發(fā)展，隨之出現(xiàn)了薄膜片式電阻，國內(nèi)國外各片式電阻的生產(chǎn)廠家以及科研單位與院校都投入了大量的人力與物力，開展薄膜電阻的研究，薄膜電阻從而得到了快速的發(fā)展。
　　本文主要從以下幾個(gè)方面研究高穩(wěn)定性Ni-Cr合金薄膜電阻的制備、工藝以及Ni-Cr合金薄膜電阻的影響因素：
　　1.研究不同濺射時(shí)間對(duì)Ni-Cr合金薄膜電阻阻值的影響。
　　2.研究自轉(zhuǎn)方式與行星運(yùn)轉(zhuǎn)方式對(duì)Ni-Cr合金薄膜

2、電阻阻值均勻性的影響。
　　3.研究濺射屏柵電壓為700 V時(shí)，不同熱處理溫度對(duì)N i-C r合金薄膜電阻穩(wěn)定性的影響。
　　4.研究濺射屏柵電壓為900V時(shí)，在470℃時(shí)不同熱處理時(shí)間對(duì)Ni-Cr合金薄膜電阻穩(wěn)定性的影響。
　　5.研究濺射屏柵電壓為1100V時(shí)，不同熱處理溫度對(duì)Ni-Cr合金薄膜電阻穩(wěn)定性的影響。
　　6.研究陶瓷基片表面粗糙度對(duì)Ni-Cr合金薄膜電阻阻值及膜層穩(wěn)定性的影響。
　　本文還

3、應(yīng)用掃描電鏡觀察薄膜表面形貌，以及熱處理前后薄膜元素含量和結(jié)構(gòu)的變化；用X射線衍射儀進(jìn)行X衍射分析，觀察薄膜經(jīng)不同熱處理后的變化；用PW-1A型金相磨拋機(jī)做厚膜片式電阻和薄膜片式電阻的破壞性物理分析（DPA），直觀對(duì)比薄膜電阻與厚膜電阻的膜層厚度；用Agilent34401A測(cè)試儀測(cè)量不同研究方法時(shí)薄膜電阻的阻值。
　　通過本課題的研究最終得到了高穩(wěn)定性 Ni-Cr合金薄膜電阻的制備和工藝方法，以及了解了薄膜表面的形貌和熱處理對(duì)表