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文檔簡介
1、該文采用熱分解方法,利用氮氣、氨氣、硅烷氣體作為氣源在硅襯底上直接進行氮化硅鈍化薄膜的淀積.在實驗中,控制硅烷氣體的流速為30ml/min,氨氣的流速為100ml/min,氮氣流速為51/min,溫度為800℃,在硅襯底上成功制備了氮化硅薄膜.利用紅外光譜分析了薄膜的主要構成成分為氮化硅,其中含有少量的二氧化硅雜質.利用原子力顯微鏡觀測薄膜表面是連續(xù)的無龜裂結構.將薄膜制成MIS(metal insulator semiconducto
2、r)結構,利用LHP4140A多頻RLC儀測量MIS結構的平帶電壓發(fā)現(xiàn)同理論值相差很大,平帶電壓大約為-61V,曲線向電壓負方向偏移嚴重,表明在硅同氮化硅界面存在有大量的帶電界面陷阱,由于這些帶電界面陷阱的存在嚴重的影響了器件的表面電學性能,造成器件在工作時的不穩(wěn)定.為了將氮化硅優(yōu)良的鈍化性能同二氧化硅較好的界面結合特性相結合,我們利用熱氧化法在硅襯底上沉積l00埃左右的二氧化硅薄膜,再在二氧化硅上沉積1500埃左右的氮化硅薄膜,制成了
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