基于HPM器件的二次電子倍增效應(yīng)的模型建立及特性研究.pdf

1、隨著近幾年科學(xué)技術(shù)的不斷進(jìn)步，各行各業(yè)對(duì)高功能率微波的需求越來(lái)越多，因此對(duì)其性能要求也在不斷提高，隨著對(duì)其諸如輸出功率，輸出頻率、能量等指標(biāo)要求的不斷提高，高功率微波技術(shù)的發(fā)展也會(huì)出現(xiàn)一些新的問(wèn)題需要我們?nèi)ソ鉀Q。在這些問(wèn)題中主要包含脈沖縮短和饋源介質(zhì)窗擊穿問(wèn)題。研究發(fā)現(xiàn)二次電子倍增是引起脈沖縮短、饋源介質(zhì)窗擊穿的最主要原因，因此對(duì)二次電子倍增效應(yīng)的研究具有很重要的理論研究和實(shí)際應(yīng)用價(jià)值，通過(guò)研究，掌握其產(chǎn)生原因，變化規(guī)律等特性，可以很好

2、的解決上述兩個(gè)問(wèn)題，突破制約高功率微波源技術(shù)向高功率、高效率發(fā)展的瓶頸，從而可以更好的推動(dòng)高功率微波技術(shù)的發(fā)展。
　　 在高功率微波源器件的波束相互作用腔中，一般有射頻場(chǎng)、聚焦磁場(chǎng)和空間電荷，空間電荷產(chǎn)生的靜電場(chǎng)與空間電荷形成自洽相互作用。在以往的研究中往往忽略了磁場(chǎng)的作用，并且空間靜電場(chǎng)以常數(shù)來(lái)處理。本論文以磁絕緣傳輸線振蕩器(MILO)的結(jié)構(gòu)為例，在考慮由內(nèi)部電流產(chǎn)生的聚焦磁場(chǎng)、空間電荷場(chǎng)和空間電荷相互作用基礎(chǔ)上，首先計(jì)算分