2023年全國碩士研究生考試考研英語一試題真題(含答案詳解+作文范文)_第1頁
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文檔簡介

1、利用有機金屬化學(xué)氣相沉積(MOCVD)的方法,在高質(zhì)量的鋁氮(AlN)模板和鋁氮/鋁鎵氮超晶格(AlN/AlGaN SLs)上,通過改變[TMA/(Tma+TMG)]的流量比例,成功的獲得了不同Al組分的高電導(dǎo)性的n 型鋁鎵氮(AlGaN)薄膜。并借由金相顯微鏡、原子力顯微鏡(AFM)、X 射線衍射(XRD)、透射光譜、Raman 光譜、Hall 測試和電容-電壓(C-V)等多種測試手段,對n 型(Al)GaN 材料的表面形貌、晶體質(zhì)量

2、、光學(xué)性能和電學(xué)性能進(jìn)行了評估。
   實驗結(jié)果顯示,在保持TMA 流量不變的情況下減少TEG的流量可以獲得高Al組分的AlxGa1-xN (x>0.4)材料。然而由于Al 原子在生長表面的遷移性低于Ga 原子,從而在同樣的生長條件下,通過減少TEG的了流量,伴隨著AlGaN的Al組分的提高的是其表面形貌的惡化。
   通過在生長過程中通入硅烷可以獲得n 型摻雜的(Al)GaN 薄膜。N-(Al)GaN 薄膜的摻雜濃度隨

3、著硅烷的摩爾量的增加而增加,其遷移率隨著硅烷的增加呈現(xiàn)先上升后下降的趨勢。同時,硅烷量的增加也會導(dǎo)致n-(Al)GaN 材料晶格的破壞和其尺寸的減小。
   針對AlGaN 材料n 型摻雜,較為特殊的是Si的摻雜能級隨著Al組分的提高而加深。于是,對于采用同樣的硅烷量實現(xiàn)摻雜的AlGaN 材料,其實際摻雜濃度隨著Al組分的提高而下降。同時,由于Al組分提高造成的AlGaN 晶格常數(shù)的減少,使得電子與材料晶格碰撞幾率增加,也是材料

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