基于數(shù)值模擬的LDMOS解析模型.pdf

1、　　本文利用二維半導體器件模擬軟件MEDICI模擬出LDMOS電阻隨著漏源電壓變化的曲線，通過MATLAB擬合這些曲線，得到了LDMOS全導通區(qū)域的伏安特性方程，建立了LDMOS電路的宏模型。無論LDMOS的結(jié)構(gòu)怎樣復雜，我們都可以很快的通過數(shù)值模擬得出它的宏模型。該模型的精度高、參數(shù)少、易于提取，得到的SPICE等效電路簡單，仿真容易收斂。根據(jù)得到的等效電路對一個高壓CMOS反相器進行了設(shè)計，計算出宏模型中的參數(shù)與反相器電路參數(shù)(如N

2、管下降沿時間)的關(guān)系，從而可以指導電路設(shè)計者如何調(diào)整LDMOS的參數(shù)得到需要的電路參數(shù)。高壓LDMOS晶體管在反相器中的功耗很難估算出，利用我們得到的宏模型，可以計算高壓LDMOS的均方功耗，通過計算CMOS反相器導通功耗和功率增益，得到其功率增益與頻率成反比，說明高壓LDMOS適合在較低頻率下工作。高壓LDMOS應(yīng)用于實際電路中，最主要的問題就是功耗過大，如果將LDMOS分成許多單元并聯(lián)，電路的功耗就可以降低很多。本文還分析了場極板對

3、體硅LDMOS擊穿電壓的影響?！　τ赟OILDMOS的特性分析，本文首先介紹了目前國內(nèi)外幾種典型的耐高壓的結(jié)構(gòu)，較為詳細的分析了應(yīng)用RESURF原理提高擊穿電壓的方法，比較了各種耐壓結(jié)構(gòu)的優(yōu)缺點。通過準二維的方法，求出了全耗盡SOILDMOS晶體管溝道耗盡區(qū)電勢分布的表達式，并建立了相應(yīng)的閾值電壓模型，分別計算了零背柵壓和負背柵壓下閾值電壓隨溝道長度的變化。隨著溝道長度的縮短，閾值電壓也相應(yīng)的減小。SOILDMOS的漂移區(qū)摻雜濃度直