EuFe2(As1-xPx)2中電子液晶相和Nb2PdS5強上臨界場的研究.pdf

1、自鐵基高溫超導體的發(fā)現(xiàn)以來，世界上很多實驗組從不同方面對這一體系超導樣品進行研究，使得我們對鐵基超導體有更深的認識。近幾年，隨著實驗上的突破和深入，在很多鐵基超導樣品中都觀測到了電子液晶相的存在。（電子液晶相，是指電子定向序固有旋轉對稱性被破壞，宏觀表現(xiàn)出的一種行為。）并且發(fā)現(xiàn)的液晶相與超導相相離很近，這一現(xiàn)象引起了我們極大的興趣。
　　在這篇畢業(yè)論文中，我們應用轉矩磁扭矩的測量手段對鐵基超導體EuFe2(As1-xPx)2的液晶

2、相在無壓力的情況下進行研究。四種不同P摻雜的樣品測量發(fā)現(xiàn)液晶相在結構相變Ts以上，一直持續(xù)到超導的最佳摻雜區(qū)域，而隨著摻雜量的繼續(xù)增加液晶相變得很弱，在過摻雜樣品中甚至消失。我們也將實驗結果與之前德國實驗組熱電勢的測量比較討論。并且根據(jù)實驗數(shù)據(jù)相圖對液晶相與超導相的關系進行分析。
　　在文章的第五章，介紹了新發(fā)現(xiàn)的超導體Nb2PdS5(Tc~6K)強上臨界場的研究。我們用Pt元素和Ni元素在母體樣品中摻雜，來研究樣品超導性的變化，

3、更主要關注其上臨界場Hc2的變化。與之前Se元素在S位替代的實驗相比，Pt元素和Ni元素在一維Pd鏈的摻雜導致Tc下降更加明顯。上臨界場Hc2/Tc比值在Se元素摻雜的樣品中基本保持不變，對應于在重元素Pt的摻雜下有顯著的提高，而在相對較輕的Ni元素摻雜下有被鎮(zhèn)壓的趨勢。由此實驗結果得出系統(tǒng)的上臨界場可以通過不同原子質量的元素在Pd鏈的化學摻雜進行調控。這樣的結論也符合Pd位的自旋軌道耦合是其具有超過泡利極限強上臨界場的主要因素之一。在