2023年全國(guó)碩士研究生考試考研英語(yǔ)一試題真題（含答案詳解+作文范文）_第1頁(yè)
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1、本文研究了大直徑直拉硅單晶中的原生微缺陷-流動(dòng)圖形缺陷(flow pattern defects,FPDs).分析了FPDs的微觀形貌,及其在Secco腐蝕液中的演變過(guò)程;對(duì)輕摻B、重?fù)絊b硅片在Ar,H<,2>,N<,2>,N<,2>/O<,2>(3﹪)不同氣氛下進(jìn)行高溫快速退火(RTA),研究了FPDs的高溫退火行為及減少FPDs的快速退火工藝.實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明:FPDs外部輪廓為拋物線(xiàn)型,內(nèi)部存在臺(tái)階結(jié)構(gòu).利用原子力顯微鏡觀察發(fā)現(xiàn)位于

2、FPDs端部的空洞結(jié)構(gòu)有單型和雙型兩種類(lèi)型,并首次發(fā)現(xiàn)空洞兩側(cè)有對(duì)稱(chēng)凸起結(jié)構(gòu).提出了一個(gè)拋物線(xiàn)模型,首次對(duì)FPDs在Secco腐蝕液中的演變過(guò)程進(jìn)行了合理的解釋.硅片經(jīng)1100℃以上高溫RTA處理后,FPDs明顯減少,其密度隨著退火時(shí)間的延長(zhǎng)而不斷降低.高溫RTA處理過(guò)程中FPDs端部空洞微結(jié)構(gòu)發(fā)生變化,本文對(duì)其湮滅機(jī)理進(jìn)行了詳細(xì)探討.氫氣高溫RTA處理,是減少FPDs的最有效退火工藝,氬氣次之.首次對(duì)大直徑重?fù)絊b硅片中的FPDs進(jìn)行

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