Cz-Si設(shè)備中的熱場及磁場分析.pdf

1、在直拉法生長硅單晶的過程中，坩堝內(nèi)的硅熔體對流會不斷的沖刷坩鍋壁，將雜質(zhì)帶入熔體，并隨對流進(jìn)入硅單晶內(nèi)，同時，對流還會影響坩堝內(nèi)的溫度分布，這些都會嚴(yán)重影響到生長的晶體質(zhì)量。隨著大直徑、高均勻、高完整和高純度硅單晶不斷發(fā)展，硅熔體的對流問題變得越來越嚴(yán)重，甚至導(dǎo)致硅單晶無法正常生長。
　　傳統(tǒng)的直拉硅單晶工藝為在爐內(nèi)引入磁場，從而抑制硅熔體的對流，而本課題利用ansys軟件針對加熱電流的感生磁場對硅熔體對流的影響展開以下方面的研究

2、:
　　1.硅熔體的流場和熱場關(guān)系密切，由熱場導(dǎo)致坩堝內(nèi)硅熔體的流動，又因?yàn)楣枞垠w的流動，反過來直接影響硅熔體內(nèi)的溫度分布。
　　2.隨著生長過程的進(jìn)行，熔體液面越來越低，熔體內(nèi)的對流也越來越弱，熔體內(nèi)的熱量傳輸由以對流為主的方式變?yōu)橐詿醾鲗?dǎo)為主。
　　3.高頻的加熱電流能在坩堝處產(chǎn)生感生磁場，頻率為1KHz的加熱電流既可產(chǎn)生至少0.1T的磁場強(qiáng)度。
　　4.加熱電流的感生磁場能夠影響熔體對流，并且在頻率增大時，