基于動(dòng)態(tài)電流信息的集成電路測(cè)試研究.pdf

1、隨著集成電路工藝的發(fā)展，芯片的復(fù)雜度驚人提高，晶體管的缺陷對(duì)集成電路的影響也越來(lái)越大，然而這些故障不一定能被電壓測(cè)試和靜態(tài)電流測(cè)試檢測(cè)出來(lái)，因此，這需要更新的測(cè)試策略對(duì)傳統(tǒng)的測(cè)試方法進(jìn)行補(bǔ)充。本文對(duì)作為新的研究熱點(diǎn)的測(cè)試方法—基于動(dòng)態(tài)電流測(cè)試信息的VLSI測(cè)試方法進(jìn)行了研究。 本文首先討論了課題研究的背景與該方法在國(guó)內(nèi)外的研究現(xiàn)狀。 然后，根據(jù)動(dòng)態(tài)電流的產(chǎn)生機(jī)理，采用多頁(yè)有向圖對(duì)IDDT產(chǎn)生過(guò)程進(jìn)行了建模，并根據(jù)這種模型

2、提出了測(cè)試矢量與IDDT路徑生成算法(VPG算法)，通過(guò)該算法可在任意數(shù)字電路中查找任意測(cè)試矢量對(duì)所對(duì)應(yīng)的所有IDDT路徑。利用該算法可以實(shí)現(xiàn)晶體管級(jí)或通路段級(jí)(MOS管串聯(lián)通路段)的故障定位。同時(shí)，由于越來(lái)越多的芯片通過(guò)標(biāo)準(zhǔn)庫(kù)進(jìn)行設(shè)計(jì)，提出了單元化結(jié)構(gòu)測(cè)試的思想，并根據(jù)此思想提出了基于標(biāo)準(zhǔn)功能單元的IDDT激勵(lì)與路徑生成算法(UVPG算法)。通過(guò)該算法可以在任意通過(guò)標(biāo)準(zhǔn)單元構(gòu)成的電路中進(jìn)行測(cè)試矢量與對(duì)應(yīng)的動(dòng)態(tài)電流路徑的生成?？梢允褂迷?/p>

3、算法在測(cè)試前生成針對(duì)一定目標(biāo)生成最小測(cè)試集，減少測(cè)試時(shí)間。本文通過(guò)程序?qū)λ惴ㄟM(jìn)行了實(shí)現(xiàn)，驗(yàn)證了算法的正確性和有效性。 針對(duì)數(shù)字電路中不易用電壓測(cè)試和靜態(tài)電流測(cè)試方法完成診斷的復(fù)雜故障，如：橋接故障和阻性開(kāi)路故障，研究了相關(guān)分析法。并首次提出了將相關(guān)分析法用于提取動(dòng)態(tài)電流中的故障特征。采用相關(guān)分析法，使正常電路動(dòng)態(tài)電流和故障電路動(dòng)態(tài)電流分別通過(guò)子帶濾波器組，然后分析其對(duì)應(yīng)子帶序列的相關(guān)系數(shù)，與相干函數(shù)的自相關(guān)序列定積分值，并將這兩