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1、該論文研究了單片高壓功率集成器件中影響續(xù)流二極管開關(guān)性能的關(guān)鍵因素,針對(duì)由三類重要的功率器件一雙極功率三極管、VDMOS器件和CoolMOS<'TM>器件與續(xù)流二極管分別構(gòu)成的功率集成器件,分別提出了創(chuàng)新的器件結(jié)構(gòu),使得集成器件中續(xù)流二極管的開關(guān)速度顯著提高.該論文創(chuàng)新的技術(shù)核心是將肖特基接觸引入到高壓功率器件中,利用肖特基接觸的高速開關(guān)的多子器件特性,改善集成器件中續(xù)流二極管的恢復(fù)速度.同時(shí),巧妙地利用同一芯片上已經(jīng)存在的功率開關(guān)器件
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