二氧化錫光學、氣敏和磁學性質的研究.pdf

1、寬禁帶半導體材料二氧化錫（SnO2），帶寬高達3.6-3.8eV，四方晶系，金紅石相結構，具有優(yōu)異的光學、電學性能，在光學元件，光電轉換，太陽能電池，氣敏傳感器領域都有非常廣泛的應該用，在半導體材料中占據(jù)著非常重要的地位。同時，由于在室溫鐵磁性和摻雜過渡離子和非磁性離子產生室溫鐵磁性的研究逐漸展開，二氧化錫基的薄膜半導體材料在自旋電子學領域的研究越來越受到人們關注。
　　本文采用水熱沉淀法和溶膠凝膠法制備了純凈的二氧化錫薄膜和納米

2、粉體，以及短周期元素Mg摻雜的二氧化錫粉體（摻雜比例分別為1％、3%、5%、7%、9%、11%）并對其進行了各種測試。
　　對于二氧化錫薄膜和納米粉體顆粒的物理性質的研究，本文主要著眼于以下三個部分：光學性質，氣敏性能和磁性的研究。
　　本文只對二氧化錫薄膜和粉體的熒光光譜和透射率、反射率進行了測試，主要可以反映出它的透射率和輻射性能，對于化學水熱法制備的二氧化錫薄膜樣品，透射率和理論值相差不大，誤差主要來源于玻璃基片的影響

3、。對遠紅外反射率的測試，結果為反射率70%以上。
　　二氧化錫氣敏材料的研究目前非常的成熟，本文通過溶膠凝膠法制備的納米二氧化錫顆粒大小較為均勻，平均顆粒約7.5納米，最大顆粒小于10納米，最小約為7納米，比較今年來的文獻數(shù)據(jù)，氣敏性能結果有了一定的進步：其中的靈敏度48，相比較于文獻數(shù)據(jù)8—65，處于中等水平，而響應時間和恢復時間小于10秒的數(shù)據(jù)，比多數(shù)文獻的結果都要好，綜合考慮，則發(fā)現(xiàn)本實驗所制取的樣品，氣敏性良好，有了一定的