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1、本課題的主要研究內(nèi)容包括:電沉積法制備Bi2-xTe3+x和(Bi1-xSbx)2Te3薄膜溫差電材料,為BiTe基材料溫差電性能的改進提供了一條新的探索途徑。其次開發(fā)建立了溫差電性能測試系統(tǒng)。該系統(tǒng)成功對納米線陣列、薄膜溫差電材料和塊狀溫差電的性能進行測試。 研究了N型Bi2-xTe3+x薄膜材料的Bi-Te共沉積機理、沉積電位對薄膜材料性能的影響。實驗結(jié)果表明在-0.03V電位下電沉積制備的Bi2-xTe3+x的塞貝克系數(shù)達
2、到最佳值。通過ESEM、XRD、EDS對電沉積制備的薄膜材料的形貌、結(jié)構(gòu)和組成進行分析。溫差電性能測試分析表明,Bi2-xTe3+x薄膜材料具有半導(dǎo)體特性,塞貝克系數(shù)不隨溫度變化。 研究了P型(Bi1-xSbx)2Te3薄膜材料的Bi-Te-Sb共沉積機理,對溫度和沉積電位等因素進行研究,確定最佳沉積條件。結(jié)合溫差電性能測試,通過ESEM,XRD,XPS,EDS對薄膜溫差電材料的形貌、結(jié)構(gòu)和成分的分析,表明三元摻雜的(Bi1-x
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