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1、現(xiàn)代移動通信、無線局域網(wǎng)等技術(shù)的革新,使得這些器件向高頻化、片層化、模塊化發(fā)展,這對介電材料的性能提出了更高的要求。本文結(jié)合當(dāng)今介電材料的研究背景,通過共沉淀法分別制備了具有低溫?zé)Y(jié)特性的(Zn, Mg)TiO3(ZMTO)和介電常數(shù)高、介電損耗適中的Ba0.5Sr0.5TiO3(BST),并對所制備的兩種介質(zhì)陶瓷材料進行了系統(tǒng)的分析。
?。?)以工業(yè)級TiOSO4為鈦源,通過簡單共沉淀方法,制備了低溫?zé)Y(jié)ZMTO。通過TG和F
2、T-IR分析了前驅(qū)體的熱失重行為和結(jié)構(gòu)變化過程。利用XRD手段重點考察了不同沉淀pH條件和煅燒溫度對ZMTO粉體成分、相組分、晶體結(jié)構(gòu)的影響。結(jié)合SEM和EDS的分析結(jié)果,發(fā)現(xiàn)當(dāng)pH為9時,產(chǎn)物均具有良好的六面體結(jié)構(gòu), Mg元素的摻雜量為2.29 at%。在108~109 Hz的測試頻率下,以最優(yōu)條件制備的ZMTO產(chǎn)品具有26~24的介電常數(shù)εr和9.82×10-4~6.35×10-4的介電損耗正切角tanδ。
?。?)實驗以T
3、iOCl2為鈦源,制備并討論了Ba、Ca摻雜鈦酸鍶體系的介電性能,結(jié)果顯示,Ba摻雜可以使鈦酸鍶體系的介電常數(shù)得到大幅度提升。接著通過實驗發(fā)現(xiàn)隨著Ba摻雜量的升高,Ba1-xSrxTiO3晶體結(jié)構(gòu)發(fā)生改變,進而導(dǎo)致其介電性能發(fā)生顯著變化,當(dāng)Ba:Sr=1:1時,介電性能最好。最后,通過一系列表征,對比了直接熔鹽共沉淀法與普通共沉淀法所制備的Ba0.5Sr0.5TiO3的性質(zhì)。TG、XRD和SEM分析結(jié)果顯示,直接熔鹽共沉淀法制備的BST
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