POSS基低介電多孔材料的制備及表征.pdf

1、為適應(yīng)窄線寬制程要求,多孔低介電材料是近年來介電功能領(lǐng)域的研究熱點(diǎn).該文使用具有功能取代基的籠形倍半硅氧烷作為分子模板劑,研究孔洞大小均勻分布的低介電常數(shù)多孔薄膜的制備.并通過表面活性劑結(jié)構(gòu)調(diào)控孔洞的大小.對(duì)材料制備工藝及表面活性劑結(jié)構(gòu)對(duì)材料性能影響進(jìn)行了研究.主要工作大致有以下幾個(gè)方面:1、綜述了國(guó)內(nèi)外低介電材料的研究進(jìn)展,詳細(xì)探討了模板法制備多孔硅材料的機(jī)理及應(yīng)用,并針對(duì)目前低介電多孔薄膜的制備和性質(zhì)方面存在的不足提出了相應(yīng)的解決辦

2、法.2、合成了帶有八個(gè)甲基取代的籠形倍半硅氧烷,并得到了其單晶結(jié)構(gòu),并通過FTIR、<'29>Si NMR、單晶X射線衍射等現(xiàn)代儀器設(shè)備對(duì)其結(jié)構(gòu)進(jìn)行了表征.詳細(xì)討論了反應(yīng)溫度、PH值、加入水量和反應(yīng)時(shí)間對(duì)產(chǎn)率的影響,得出了反應(yīng)的最佳條件,同時(shí)對(duì)其合成機(jī)理進(jìn)行了探討.3、利用γ-(甲基丙稀酰氧)丙基三甲氧基硅烷水解縮和得到的POSS溶膠作為模板劑制備得到了低介電薄膜材料,討論了旋膜轉(zhuǎn)速對(duì)薄膜厚度的影響.通過原子力顯微鏡、比表面分析儀、橢偏