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文檔簡介
1、本工作利用靜電紡絲法制備Cr摻雜ZnO稀磁氧化物半導體納米纖維。對樣品進行合成的過程分析，結果的表征以及熒光特性、稀磁特性等的測量。并通過研究氣氛處理對樣品的影響，探究過渡金屬Cr摻雜ZnO半導體納米纖維的磁性來源。主要內(nèi)容如下：
透過XPS確定摻雜樣品的Cr為3+，表示Cr摻雜為空穴型摻雜。
室溫PL測量結果表明Cr摻雜樣品樣品存在很強的缺陷發(fā)光，而樣品的本征發(fā)光被壓制了。通過對缺陷包絡的分峰處理，發(fā)現(xiàn)各缺
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