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文檔簡介
1、該文論述了原納米載銀硅基氧化物復合材料不適合靜電干粉搪瓷工藝的根本原因是原納米復合粉體的電阻率太小,不能滿足靜電干粉搪瓷工藝對靜電干粉搪瓷粉末性能要求.為了提高其電阻率,該文制定了用納米硅烷化合物來包敷納米載銀硅基氧化物的方案.該文論述兩種制備納米硅烷化合物的方法,即用激光合成法和高能球磨法.激光合成法制備納米硅烷化合物是比較理想的方法,而用高能球磨法來制備納米硅烷化合物,具有較高的實際意義,是根據(jù)硅烷化合物在靜電干粉搪瓷工藝中所起的作
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