摻鑭PZT及MFIS和MFMIS器件研究.pdf

1、鐵電材料以其固有特性如剩余極化特性、壓電特性、高介電常數(shù)、光電效應(yīng)目前得到廣泛的研究。而利用其極化特性制備的各種存儲(chǔ)器件具有高的存儲(chǔ)速度，高存儲(chǔ)密度和可靠性在非揮發(fā)性存儲(chǔ)領(lǐng)域受到日益重視，有希望成為繼flash之后新一代的非揮發(fā)性存儲(chǔ)器件?！　”疚闹饕獜蔫F電材料出發(fā)，研究其摻雜改性工作，在此基礎(chǔ)上研究了鐵電半導(dǎo)體電容結(jié)構(gòu)，然后制備了MFIS和MFMIS場效應(yīng)管型鐵電存儲(chǔ)器件，研究其存儲(chǔ)特性，最后將其運(yùn)用于非揮發(fā)性邏輯單元中進(jìn)行了研究。

2、　　在鐵電材料研究部分，本文從基本的PZT(鋯鈦酸鉛)鐵電材料PZT出發(fā)，研究了鑭摻雜改性對(duì)PZT鐵電性，抗疲勞特性和漏電流特性的影響，得出了適用于鐵電單管存儲(chǔ)器件，綜合特性良好的PZT薄膜，為下一步的工作提供了重要的依據(jù)?！　∑浯畏治隽瞬煌愋偷蔫F電存儲(chǔ)器件，制備了Pt/PZT/SiO2/Si和Pt/PZT/ZrO2/Si兩種鐵電半導(dǎo)體電容結(jié)構(gòu)，研究了不同的介質(zhì)層厚度和介質(zhì)材料對(duì)I-V、C-V曲線的影響，詳細(xì)地分析了頻率對(duì)C-V曲

3、線形狀和存儲(chǔ)窗口的影響，并結(jié)合模型的預(yù)測對(duì)低頻C-V曲線及介面陷阱產(chǎn)生和作用機(jī)理進(jìn)行了深入的探討?！　≡贛FIS和MFMIS器件制備部分，對(duì)原有的版圖進(jìn)行了改進(jìn)，進(jìn)行了器件的流片工作，制備了具有不同寬長比和上下電極面積比的存儲(chǔ)器件。對(duì)其非揮發(fā)性和非破壞性讀出特性進(jìn)行了分析，研究了不同讀寫電壓對(duì)存儲(chǔ)窗口的影響。著重對(duì)MFIS和MFMIS器件的保持特性和疲勞特性進(jìn)行了研究?！　∽詈筮€研究了鐵電單管存儲(chǔ)單元在非揮發(fā)性邏輯電路中的運(yùn)用，搭建