GaAs激光窗口材料的制備及退火和光學(xué)加工對(duì)其性能影響.pdf_第1頁(yè)
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1、該論文研究了優(yōu)質(zhì)GaAs紅外激光窗口材料的制備及特性;退火熱處理工藝對(duì)GaAs窗口晶體的位錯(cuò)、殘余應(yīng)力、遷移率和斷裂模數(shù)的影響;GaAs窗口晶片表面光學(xué)加工對(duì)GaAs窗口晶體性能的影響.取得的主要結(jié)果如下:1.首次在LEC法GaAs窗口晶體生長(zhǎng)過(guò)程中,采用氧化鉻(Cr<,2>O<,3>)作補(bǔ)償摻雜劑,實(shí)現(xiàn)高阻補(bǔ)償條件.2.輕摻氧化鉻GaAs窗口晶體在室溫下的自由載流子濃度低于5×10<'6>cm<'-3>,制備的高阻GaAs窗口晶體具有

2、良好的紅外透射特性.3.首次用X射線三軸晶衍射法對(duì)GaAs窗口晶體進(jìn)行無(wú)損、高精度晶格點(diǎn)陣常數(shù)測(cè)量.4.GaAs窗口晶體的X光透射形貌像表明:晶體中位錯(cuò)徑向分布呈"W"型,與GaAs熔融KOH腐蝕坑的徑向分布結(jié)果一致;輕摻氧化鉻GaAs窗口晶體中位錯(cuò)的分布對(duì)紅外透過(guò)率影響小.5.高溫退火條件下,GaAs窗口晶體與石墨接觸處散熱不均勻?qū)е聹囟忍荻仍黾?致使該區(qū)域范性形變而產(chǎn)生位錯(cuò),刃型位錯(cuò)受熱應(yīng)力的作用向垂直滑移面的平面移動(dòng),聚集后可形成

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