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文檔簡介
1、在CMOS射頻集成電路設(shè)計中存在大量尚未解決的問題.該文的討論焦點是低噪聲和低功耗,主要研究內(nèi)容為:1.噪聲問題的本質(zhì)數(shù)學(xué)特性,即噪聲的隨機特性及其統(tǒng)計特征.2.MOSFET的基本物理特性,以及與噪聲過程所結(jié)合的MOSFET的基本噪聲模型.3.以該MOSFET基本噪聲模型為基礎(chǔ),詳細分析射頻集成電路中的幾個基本組成部分:低噪聲放大器(Low Noise Amplifier,LNA)、混頻器(Mixer)和鎖相環(huán)(Phase Lock L
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