紅外景物模擬器件懸空微結(jié)構(gòu)的研制.pdf

1、基于微機械加工技術(shù)發(fā)展起來的電阻陣列是動態(tài)紅外景物產(chǎn)生器的一種。它可在半實物（HWIL）仿真系統(tǒng)中用來對紅外攝像機、導彈尋的器以及各種紅外探測系統(tǒng)的實時性能進行測試和評估。電阻陣列是以電阻元作為微輻射元，當電流流過時，電阻元產(chǎn)生熱量，從而產(chǎn)生紅外輻射。通過控制流過每個電阻元的電流就可以控制每個電阻的溫度，從而達到顯示紅外圖像的目的。本文研究了微橋結(jié)構(gòu)制備中的犧牲層工藝、紅外輻射材料方阻特性、作為支撐層的非晶硅薄膜應(yīng)力和微橋制備工藝。主要

2、內(nèi)容如下： ⑴研究了犧牲層的圖形化，犧牲層的固化，犧牲層去除工藝。在犧牲層去除工藝研究中，通過改變射頻功率和氣體流量，獲得了犧牲層的橫向、縱向刻蝕速率與射頻功率、氣體流量之間的關(guān)系曲線和不同的刻蝕條件（氧工作氣體、刻蝕功率、氣體流量）下，不同方向上的刻蝕速率。較好的工藝參數(shù)和圖形質(zhì)量較好的犧牲層樣品被得到，為微橋結(jié)構(gòu)的后續(xù)制作奠定了基礎(chǔ)。 ⑵以高純度鈦（99．99%）為靶材，采用電子束熱蒸發(fā)的方法制備了鈦金屬膜，研究了不

3、同膜層厚度、不同鍍制工藝參數(shù)對鈦金屬膜方阻特性的影響，并做了詳細的分析。用四探針測試系統(tǒng)測試制備的薄膜方阻，結(jié)果表明：隨著膜厚的增加，方阻值會隨之下降；選擇合適的襯底溫度、真空度以及沉積速率等工藝參數(shù)，可以得到滿足紅外景物產(chǎn)生器要求的方阻。 ⑶采用等離子增強化學氣相沉積系統(tǒng)沉積氫化非晶硅薄膜，通過正交實驗設(shè)計優(yōu)化了制備氫化非晶硅的沉積工藝。在實驗中著重改變了對薄膜特性影響的幾個工藝條件，如：射頻功率、沉積溫度、壓強、氣體流量。實