MOS模擬器件的不匹配性研究.pdf

1、集成電路工藝過程中，由于不確定性和隨機(jī)誤差或梯度誤差等原因，產(chǎn)生一些理論上完全一樣的MOS管，在實(shí)際上是有偏差的，這種偏差就稱為器件的不匹配。不匹配特性極大地影響模擬電路的特性，它的精確描述對于模擬電路設(shè)計(jì)具有很重要的意義。工藝參數(shù)的分布會引起器件結(jié)構(gòu)參數(shù)和電學(xué)參數(shù)變化。隨著半導(dǎo)體技術(shù)不斷發(fā)展，加工尺寸不斷縮小，工藝參數(shù)的分布導(dǎo)致的器件電學(xué)參數(shù)分布，直接引起電路不匹配以及成品率的降低，工藝參數(shù)導(dǎo)致的器件不匹配成為設(shè)計(jì)過程中必須考慮的因素

2、。 隨機(jī)的器件不匹配在模擬電路設(shè)計(jì)中起了很重要的作用，主要是由隨機(jī)誤差造成的，而這種隨機(jī)誤差是由集成電路工藝引起的誤差。因此MOS晶體管的精確模型對于分析整個(gè)電路的性能有很重要的意義。這篇論文講述了模擬集成電路設(shè)計(jì)中關(guān)于MOSFET不匹配特性的一些基本概念以及隨著加工尺寸的不斷減小，MOS管所引起的一系列短溝道效應(yīng)，進(jìn)而描述了整個(gè)MOS管模型的發(fā)展歷史，來說明一個(gè)精確的模型對模擬電路設(shè)計(jì)的重要意義。然后進(jìn)一步闡述了MOS管的失配