低壓溝槽型MOS器件的研究與設(shè)計.pdf

1、在全球氣候變暖的背景下，以低能耗、低排放、低污染為特征的“低碳經(jīng)濟(jì)”是全球熱點(diǎn)。節(jié)約能源是我國經(jīng)濟(jì)持續(xù)快速發(fā)展的基本國策，新型電力電子器件在其中扮演著非常重要的角色。因此，對溝槽型MOS器件的研究與設(shè)計具有極大的現(xiàn)實意義。
　　本文首先對器件閾值電壓、導(dǎo)通電阻、擊穿電壓和終端結(jié)構(gòu)模型進(jìn)行了深入研究與分析，指出了P-Body區(qū)雜質(zhì)濃度分布形狀和溝槽深度是低壓溝槽型MOS器件設(shè)計的最主要的關(guān)鍵技術(shù)。隨后對低壓溝槽型MOS器件制造工藝進(jìn)

2、行了設(shè)計。確定了易于控制P-Body區(qū)雜質(zhì)濃度分布形狀的低制造成本的工藝方案;給出了耐壓大于65V的與元胞工藝完全兼容的終端結(jié)構(gòu);設(shè)計了與工藝相兼容的抗ESD多晶硅二極管結(jié)構(gòu);給出了器件整個工藝和結(jié)構(gòu)形成過程。然后借助仿真軟件Tsuprem4和Medici，對低壓溝槽型MOS器件工藝過程和電學(xué)特性進(jìn)行了設(shè)計與模擬。仿真給出的器件元胞結(jié)構(gòu)形貌非常逼真;器件電學(xué)特性仿真結(jié)果與理論分析一致。為器件設(shè)計和試制奠定了扎實的基礎(chǔ)。最后設(shè)計和試制了一