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文檔簡介
1、該論文系統(tǒng)的研究了27~300℃溫度范圍內(nèi)SOI/SIMOX MOS器件的物理特性和電學(xué)性能.該論文對SOI MOS器件主要寄生效應(yīng)-浮體效應(yīng)的溫度特性作了詳細研究.提出了部分耗盡SOI MOS器件電流翹曲效應(yīng)(Kink效應(yīng))溫度特性的解析模型,根據(jù)體源結(jié)電壓與溫度的關(guān)系,得到不同工作溫度下發(fā)生電流翹曲效應(yīng)時的漏源電壓.同時還分析了薄膜全耗盡SOI MOS器件寄生雙極晶體管的溫度特性.最后該論文討論了與高溫SOI MOS器件有關(guān)的設(shè)計考
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