SOI-SiGe器件的研究.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、該論文對(duì)SOI部分耗盡MOSFET(SOI PD-MOSFET)和SiGe溝道p-MOSFET(SiGe-MOSFET)的性能進(jìn)行了研究.SOI部分耗盡MOSFET相對(duì)于體硅MOSFET而言,具有許多優(yōu)點(diǎn):源漏結(jié)寄生電容較小,工作速率較快,截止漏電流小,功耗較低,短溝道特性較好,抗輻射能力較強(qiáng),工藝較簡單,并且消除了CMOS電路中的閂鎖效應(yīng),能夠構(gòu)成動(dòng)態(tài)閾值電壓MOSFET(DTMOS)和Bi-MOS混合模式晶體管(BMHMT),進(jìn)一步

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