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1、作為SOI(Silicon On Insulator)高壓集成電路的核心器件，SOI橫向高壓器件較低的縱向擊穿電壓限制了其在高壓功率集成電路中的應(yīng)用。為此，國(guó)內(nèi)外眾多學(xué)者提出了一系列新結(jié)構(gòu)以提高SOI器件的縱向耐壓。
本文采用數(shù)值仿真研究了具有復(fù)合埋層SOI高壓器件的耐壓機(jī)理、耐壓特性以及背柵效應(yīng)。該結(jié)構(gòu)特征在于：復(fù)合埋層由兩層氧化層及其間的多晶層構(gòu)成，且第一埋氧層開窗口。器件處于阻斷狀態(tài)時(shí)，第一埋氧層阻止了漂移區(qū)橫向電場(chǎng)對(duì)多
2、晶硅下界面空穴的抽取。一方面，該空穴提高第二埋氧層的電場(chǎng)，因而可在較薄埋氧層上獲得高耐壓SOI器件，在獲得高耐壓的同時(shí)也緩解了SOI器件的自熱效應(yīng)；另一方面，此空穴層又屏蔽了背柵電壓對(duì)SOI器件頂層硅和第一埋氧層的影響。利用工藝模擬軟件TSUPREM-4對(duì)器件工藝進(jìn)行仿真，基于非等平面埋氧層的SOI材料制備工藝，研制出耐壓達(dá)760V的復(fù)合埋層SOI LDMOS，其第二埋氧層電場(chǎng)從常規(guī)SOI器件埋氧層的120V/μm以下增至400V/μm
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