基于幾何規(guī)劃的模擬器件建模與電路性能優(yōu)化.pdf

1、隨著半導(dǎo)體技術(shù)的進(jìn)一步發(fā)展，晶體管元件集成度的進(jìn)一步提高，電路設(shè)計(jì)的復(fù)雜度也將大幅增長(zhǎng)，對(duì)于電路設(shè)計(jì)自動(dòng)化技術(shù)的要求也將越來(lái)越高。作為電路設(shè)計(jì)自動(dòng)化的基礎(chǔ)，器件建模是重要的研究方向。然而，由于受到多種非理想效應(yīng)的影響，很難對(duì)模擬電路性能進(jìn)行精確描述。而現(xiàn)有的BSIMV3與BSIMV4MOS器件模型，雖然能夠達(dá)到較高的精度，但是由于基于多元高階非線性偏微分方程，此類模型的算法復(fù)雜度較高，目前僅被應(yīng)用于電路驗(yàn)證與仿真。目前，尚未提出精度與復(fù)

2、雜度均適中的簡(jiǎn)化器件模型與電路宏模型，而此類模型正是電路綜合與優(yōu)化過(guò)程中不可或缺的。 在對(duì)目前各種器件建模方法進(jìn)行總結(jié)與分析之后，結(jié)合凸分析理論，本文提出一種基于幾何規(guī)劃的MOS器件建模方法。不同于之前的凸模型，本文提出的方法并未采用事先確定階數(shù)的模型函數(shù)，而是利用分段線性函數(shù)對(duì)器件參數(shù)進(jìn)行擬合。模型的精度可由分段數(shù)量控制，從而實(shí)現(xiàn)精度與復(fù)雜度的動(dòng)態(tài)控制。其次，提出悲觀與樂觀兩種不同的邊界模型，結(jié)合響應(yīng)表面分析算法，以適應(yīng)不同的