2023年全國碩士研究生考試考研英語一試題真題(含答案詳解+作文范文)_第1頁
已閱讀1頁,還剩69頁未讀, 繼續(xù)免費閱讀

下載本文檔

版權(quán)說明:本文檔由用戶提供并上傳,收益歸屬內(nèi)容提供方,若內(nèi)容存在侵權(quán),請進(jìn)行舉報或認(rèn)領(lǐng)

文檔簡介

1、ZnO作為一種新型的直接寬帶隙氧化物,在太陽能電池、傳感器、平板顯示、發(fā)光器件等領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用前景,是公認(rèn)的具有代表性的第四代半導(dǎo)體光電材料。國際上有關(guān)ZnO的研究表明In摻雜ZnO具有電阻率低、可見光區(qū)透射率高、對Nox、NH3、H2S等氣體敏感性好等優(yōu)點,在半導(dǎo)體器件領(lǐng)域具有潛在的應(yīng)用價值。同時,半導(dǎo)體器件大多由復(fù)合膜結(jié)構(gòu)組成,薄膜內(nèi)普遍存在應(yīng)力應(yīng)變,影響器件的性能,因此,必須開展In摻雜ZnO應(yīng)力應(yīng)變的研究?;诖?本文采用第

2、一性原理密度泛函理論結(jié)合平面波贗勢方法對不同In摻雜ZnO以及單軸應(yīng)力作用下In摻雜ZnO的晶體結(jié)構(gòu)、電子結(jié)構(gòu)和光學(xué)性質(zhì)進(jìn)行了探索性的研究。
   為了摸清In摻雜對ZnO的影響,建立了InZn1-Xo(x=0、0.125、0.25、0.375)超晶胞模型,對其光電性質(zhì)展開了深入的研究,結(jié)果表明:InxZn1-Xo(x=0.125、0.25、0.375)為n型簡并半導(dǎo)體,其禁帶寬度隨著x的增加而減小;在低溫重?fù)诫s簡并條件下,電導(dǎo)

3、率隨In摻雜量的增加而減小;經(jīng)過剪刀算符校正后InxZnl哇O的光學(xué)響應(yīng)峰隨著摻雜量x的增加出現(xiàn)紅移現(xiàn)象,對紫外光的光吸收能力逐漸增強,并且在可見光和紅外光區(qū)域的反射率也明顯增大,為深入研究ZnO基透明導(dǎo)電材料和紫外防護(hù)器件奠定一定的理論基礎(chǔ)。
   為了探討應(yīng)力應(yīng)變對In摻雜ZnO的影響,建立了6.25%In摻雜ZaO和純ZnO的模型,對比分析了單軸應(yīng)力對其物理性質(zhì)的影響,結(jié)果表明:隨著單軸應(yīng)力的增加,兩者的禁帶寬度都具有線性

4、展寬趨勢,但I(xiàn)n摻雜后應(yīng)力系數(shù)更大,這對我們調(diào)制摻雜ZnO的禁帶寬度具有一定的理論參考意義;In摻雜ZnO和ZnO的晶體場分裂能分別在3.5GPa和2GPa左右時達(dá)到最小值,并且In摻雜ZnO的晶體場分裂能值大于純ZnO;In摻雜ZnO光學(xué)性質(zhì)呈現(xiàn)各向異性,單軸應(yīng)力作用下,In摻雜ZnO沿[100]極化方向的吸收峰比ZnO偏低,并且明顯向低能方向移動(紅移)。In摻雜引入的應(yīng)力對ZnO吸收光譜的影響相對于單軸應(yīng)力的影響更大,為光學(xué)領(lǐng)域的

溫馨提示

  • 1. 本站所有資源如無特殊說明,都需要本地電腦安裝OFFICE2007和PDF閱讀器。圖紙軟件為CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.壓縮文件請下載最新的WinRAR軟件解壓。
  • 2. 本站的文檔不包含任何第三方提供的附件圖紙等,如果需要附件,請聯(lián)系上傳者。文件的所有權(quán)益歸上傳用戶所有。
  • 3. 本站RAR壓縮包中若帶圖紙,網(wǎng)頁內(nèi)容里面會有圖紙預(yù)覽,若沒有圖紙預(yù)覽就沒有圖紙。
  • 4. 未經(jīng)權(quán)益所有人同意不得將文件中的內(nèi)容挪作商業(yè)或盈利用途。
  • 5. 眾賞文庫僅提供信息存儲空間,僅對用戶上傳內(nèi)容的表現(xiàn)方式做保護(hù)處理,對用戶上傳分享的文檔內(nèi)容本身不做任何修改或編輯,并不能對任何下載內(nèi)容負(fù)責(zé)。
  • 6. 下載文件中如有侵權(quán)或不適當(dāng)內(nèi)容,請與我們聯(lián)系,我們立即糾正。
  • 7. 本站不保證下載資源的準(zhǔn)確性、安全性和完整性, 同時也不承擔(dān)用戶因使用這些下載資源對自己和他人造成任何形式的傷害或損失。

評論

0/150

提交評論