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文檔簡介
1、ZnO是當(dāng)今短波光電材料研究領(lǐng)域的熱點(diǎn),深入研究摻雜對光電子材料的穩(wěn)定性和對光電性質(zhì)的影響是十分必要的。本文利用第一性原理對ZnO∶ErZn和ZnO∶(ErZn,NO)摻雜體系的穩(wěn)定性和光電性質(zhì)進(jìn)行了系統(tǒng)研究。主要研究內(nèi)容如下:
首先,對ErxZn1-xO(x=0,0.0625,0.1250,0.1875,0.2500)進(jìn)行了計算。計算結(jié)果表明:替鋅位(ErZn)是摻雜Er的首選占據(jù)位置;晶格畸變和形成焓都隨Er摻雜濃度的增大
2、而增大,化合物越來越不穩(wěn)定;摻雜Er使ZnO的禁帶寬度變小,當(dāng)摻雜濃度達(dá)到9.375 at.%和12.500 at.%時,禁帶寬度出現(xiàn)起伏現(xiàn)象;在低濃度(3.125 at.%、6.250 at.%)摻雜Er時,張應(yīng)變效應(yīng)對帶隙的減小作用大于摻雜Er對帶隙的展寬效應(yīng)而起主導(dǎo)作用,高濃度(9.375 at.%、12.500 at.%)摻雜Er時則相反,摻雜Er的帶隙展寬效應(yīng)起主導(dǎo)作用,使帶隙不再進(jìn)一步減小;隨著Er濃度增加到9.375 at
3、.%和12.500at.%時,在紅外光波段產(chǎn)生電子態(tài)躍遷而出現(xiàn)較強(qiáng)的光吸收;摻雜Er后,紅外光和紫外光的穿透率降低,隨Er濃度的增大,可見光的反射率減小,吸收率增大。
其次,對純ZnO、稀土元素Er單摻雜ZnO以及Er與本征缺陷復(fù)合摻雜ZnO體系進(jìn)行了計算研究。計算結(jié)果表明:只有Er單摻雜及Er與受主型本征缺陷復(fù)合摻雜ZnO體系在(Zn-poor,Er-rich)環(huán)境條件下的形成能為負(fù)值,伴隨Er摻雜ZnO引入的本征缺陷是受主
4、型,而純ZnO中通常存在的是施主型本征缺陷;摻入Er元素后在能帶中引入了由Er-4f電子態(tài)形成的雜質(zhì)能級,Er原子與受主型本征缺陷具有比較強(qiáng)的相互作用;光學(xué)性質(zhì)上,當(dāng)受主型本征缺陷引入到Er摻雜ZnO體系時,光吸收譜上出現(xiàn)了更多的吸收峰和兩種不同的吸收邊,Er原子與受主型本征缺陷相互作用是產(chǎn)生可見光區(qū)和紅外區(qū)光吸收的重要原因之一。
最后,對ZnO∶(ErZn,NO)共摻雜體系進(jìn)行了計算研究。計算結(jié)果表明:N含量對ZnO∶(Er
5、Zn,NO)共摻雜體系晶體結(jié)構(gòu)產(chǎn)生的影響小于Er含量;nErZn-NO復(fù)合體缺陷的離化能總體高于ErZn-mNO復(fù)合體缺陷;ErZn-mNO型復(fù)合體缺陷是Er-N共摻雜ZnO過程中形成的缺陷復(fù)合體的主要形式;隨著ErZn-mNO復(fù)合摻雜體系中N濃度的增大,禁帶寬度增大,N-2p與Zn-3d態(tài)的雜化作用逐漸增強(qiáng),Er-4f態(tài)的局域化程度增強(qiáng),與Zn-3d態(tài)的雜化作用減弱,使價帶頂向高能方向移動;光吸收譜的吸收邊出現(xiàn)不同程度的紅移現(xiàn)象;Er
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