利用循環(huán)伏安法研究SiCl4電化學還原及多晶硅特征.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、太原理工大學碩士學位論文利用循環(huán)伏安法研究SiCl4電化學還原及多晶硅特征姓名：馬秋平申請學位級別：碩士專業(yè)：@指導教師：孟慶森@太原理工大學碩士研究生學位論文II20mlSiCl4中循環(huán)伏安曲線。掃描速度20mvs，峰電流密度－6.600mAcm2；掃描速度50mvs，電流密度－6.807mAcm2。當溶液一定時，峰電流與掃描速度的平方根成正比，即掃描速度快，峰電流就大。鎳（Φ18mm）為工作電極，30mlPC，0.5molLSiCl

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