利用自對準(zhǔn)工藝制備多晶硅TFT的研究.pdf

1、近年來，隨著多晶硅 TFT技術(shù)的不斷發(fā)展，其應(yīng)用也越來越廣泛，并被視為a-Si TFT的理想替代品。相對于 a-Si TFT，poly-Si TFT有其明顯的優(yōu)勢：高遷移率、高速高集成化、p型和n型導(dǎo)電模式、自對準(zhǔn)結(jié)構(gòu)以及耗電省、分辨率高等優(yōu)點，能夠提供更亮、更精細的畫面。其中p型和n型的導(dǎo)電模式不僅可以實現(xiàn)LCD的驅(qū)動，而且也可以實現(xiàn)OLED的驅(qū)動。因此采用多晶硅薄膜晶體管（TFT）有源矩陣是未來大屏幕、高分辨率平板顯示的首選驅(qū)動方法

2、之一。
　　在制備多晶硅 TFT時，由于機器的套準(zhǔn)誤差會在柵極與源、漏極之間產(chǎn)生重疊部分，這樣就造成了柵源、柵漏之間的交疊電容，交疊電容的存在嚴(yán)重影響了多晶硅 TFT的性能，而利用自對準(zhǔn)工藝制備的多晶硅 TFT則避免了交疊電容的產(chǎn)生。本文主要講述了利用自對準(zhǔn)方法制備多晶硅 TFT的工藝，并對制備 TFT過程中的曝光、顯影、光刻以及功能材料的刻蝕工藝做了研究，摸索出了一套制備多晶硅TFT的方法，取得了一些有用的數(shù)據(jù)，希望對后續(xù)的工作