金屬源漏多晶硅TFT及非晶IGZO TFT的特性研究.pdf

1、本論文的研究內容主要包括兩個部分，即金屬源漏多晶硅（poly-si）TFT的載流子輸運機制研究及非晶（a-）IGZO TFT的特性表征。
　　(1)金屬源漏poly-Si TFT的載流子輸運機制
　　通過對兩種金屬源漏poly-Si TFT的特性研究，包括金屬替代結TFT和自對準金屬電極TFT，我們基于摻雜調制的肖特基勢壘模型對器件傳導特性給出了統(tǒng)一的解釋。通過對比金屬替代結TFT與傳統(tǒng)poly-Si TFT的轉移特性及器件

2、溫度特性，我們發(fā)現這種金屬替代結TFT位于源漏兩端的鋁硅接觸呈現明顯的肖特基特性，初步建立了受肖特基勢壘控制的傳導模型；在自對準金屬電極TFT的特性研究中，我們發(fā)現載流子勢壘高度受到勢壘材料間的薄摻雜層調制，并對提出的傳導模型進行了完善。結合對器件摻雜層雜質分布的模擬，以及對器件亞閾值擺幅、開態(tài)電流的分析，我們的模型得到了驗證。
　　(2)A-IGZO TFT的特性表征
　　A-IGZO TFT是金屬氧化物TFT的典型代表。