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1、華中科技大學(xué)碩士學(xué)位論文納米SnO氣敏膜的制備技術(shù)與特性研究姓名：吳術(shù)習(xí)申請學(xué)位級別：碩士專業(yè)：微電子學(xué)與固體電子學(xué)指導(dǎo)教師：周東祥20080526華中科技大學(xué)碩士學(xué)位論文華中科技大學(xué)碩士學(xué)位論文IIAbstractInthispaperscreenprintingtechnologyAerosolAssistedChemicalvapdepositionwereusedtofabricategassensthepropertiesof
2、thesenssweredeeplyresearched.NanometerSnO2In2O3powderwerepreparedthroughhydrothermalmethod.SnO2powderdopedwithmicrodosagenanometerIn2O3Sb2O3waspreparedintopastethenwasfabfricatedintothickfilmannealedat700℃。XRD、SEMwereuse
3、dtoanalysethemicrostructureofthefilmstheresultshowedthattheparticlesizeoftheSnO2nanoparticlesonthefilmwas10nmthesurfaceoffilmwaspous.Gassensingtestingofthefilmindicatedthatsensswhichdopedwith7wt%In2O3obtainedthebestgasse
4、nsingproperties:thefilmcouldidentify2ppmH2Sat40℃thesensitivitywas2.66To30ppmH2Sthesensitivityreached621thesensresponsedquicklycouldrecoverwellafterthermalcleaning.In2O3TiO2Al2O3dopedthickfilmsalsowerefabricatedthroughhyd
5、rothermalthesensscoulddetect300ppm500ppmCH4gas.AlcoholsolutionofSnCl2wasusedasprecursthinfilmswerepreparedbyAACVD.Theeffectofdepositingtimedepositingtemperatureconcentrationofsolutionontheconductivitygassensingproperties
6、ofthefilmwerestudied.Theoptimizingpreparationmethodwasgeneralized.Thethinfilmsalsoobtainedexcellentgassensingproperties:thesensitivityto50ppmH2Sat25℃reached97thevoltagechangecouldresponse90%withoutthermalcleaning.Alcohol
7、solutionofCu(CH3COO)2wasusedasprecursCuOdopedthinfilmswerefabricatedthroughAACVD.Theeffectofdopingmodedepositingtimeannealingtemperatureongassensingpropertiesofthefilmwerestudied.Theoptimizingdopingprocesswasconcluded.SE
8、Manalysisindicatedthatthethinfilmsweremultiholetheaveragegrainsizewasabout40nm.TherecoveringresponsepropertiestoH2SatroomtemperatureoftheCuOdopedthinfilmsshowedgreatimprovement.At25℃thesensitivityto5ppm100ppmH2Swere3.792
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