版權(quán)說明:本文檔由用戶提供并上傳,收益歸屬內(nèi)容提供方,若內(nèi)容存在侵權(quán),請(qǐng)進(jìn)行舉報(bào)或認(rèn)領(lǐng)
文檔簡介
1、塑料封裝同傳統(tǒng)的陶瓷等氣密性封裝形式相比,更能滿足集成電路低成本、小體積、重量輕和高密度的發(fā)展趨勢。但是由于塑料固有的多孔性和吸水性的特點(diǎn),使得水汽對(duì)塑料封裝器件可靠性的影響越來越大,其主要失效形式為腐蝕和界面開裂。論文結(jié)合國家自然科學(xué)基金項(xiàng)目“微電子封裝中的界面層裂失效和界面強(qiáng)度可靠性設(shè)計(jì)方法研究”,針對(duì)在濕、熱因素影響下的PBGA(塑封球狀矩陣封裝)電子器件內(nèi)部界面開裂失效問題,采用數(shù)值模擬和試驗(yàn)的方法進(jìn)行研究,具體內(nèi)容如下:
2、> 1.在數(shù)值模擬研究上,論文選用PBGA器件作為研究對(duì)象,研究內(nèi)容為:
(1)分析和模擬不同EMC(模塑封裝材料)厚度器件的回流焊熱應(yīng)力、吸潮濕應(yīng)力和解吸潮濕熱應(yīng)力對(duì)器件內(nèi)部界面可靠性的影響,建立了計(jì)算模型,其計(jì)算模型的提出具有一定的創(chuàng)新性;
(2)建立在解吸潮和回流焊過程中的蒸汽壓力計(jì)算模型,并結(jié)合濕/熱-機(jī)械應(yīng)力和蒸汽壓力得到集成應(yīng)力模型,用以描述潮濕對(duì)封裝可靠性的影響;
(3)采用基于裂紋尖端的J
3、積分判據(jù),對(duì)吸濕后的器件在解吸潮和回流焊過程中不同位置的初始裂紋進(jìn)行J積分計(jì)算,分析其對(duì)裂紋擴(kuò)展的影響。
2.在試驗(yàn)研究方面,論文首先對(duì)PBGA器件進(jìn)行耐濕環(huán)境條件下的吸潮試驗(yàn)和稱重試驗(yàn);然后利用金相顯微鏡和電鏡掃描的方法觀察經(jīng)歷不同試驗(yàn)階段后器件內(nèi)部的微觀結(jié)構(gòu),并與未進(jìn)行試驗(yàn)的器件進(jìn)行對(duì)比,用來評(píng)估PBGA器件在高濕和溫度循環(huán)條件下的界面可靠性。
研究結(jié)果表明:
(1)在回流焊熱應(yīng)力、吸潮濕應(yīng)力和解吸潮濕
4、熱應(yīng)力計(jì)算中EMC材料厚度0.85mm器件的應(yīng)力值最大,這說明塑封電子器件的封裝層并不是越厚或越薄可靠性就越好,相對(duì)于EMC材料厚度為0.65mm和1.25mm的器件而言,厚度為0.85mm器件的界面可靠性最低。
(2)在蒸汽壓力、集成應(yīng)力計(jì)算中,芯片、DA(芯片粘結(jié)材料)和EMC三種材料交界處發(fā)生了應(yīng)力集中,且在J積分?jǐn)?shù)值仿真中,此處的J積分值最大,如果在此界面存在初始裂紋,那么在這些局部集中的力的作用下,極易使裂紋擴(kuò)展導(dǎo)致
溫馨提示
- 1. 本站所有資源如無特殊說明,都需要本地電腦安裝OFFICE2007和PDF閱讀器。圖紙軟件為CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.壓縮文件請(qǐng)下載最新的WinRAR軟件解壓。
- 2. 本站的文檔不包含任何第三方提供的附件圖紙等,如果需要附件,請(qǐng)聯(lián)系上傳者。文件的所有權(quán)益歸上傳用戶所有。
- 3. 本站RAR壓縮包中若帶圖紙,網(wǎng)頁內(nèi)容里面會(huì)有圖紙預(yù)覽,若沒有圖紙預(yù)覽就沒有圖紙。
- 4. 未經(jīng)權(quán)益所有人同意不得將文件中的內(nèi)容挪作商業(yè)或盈利用途。
- 5. 眾賞文庫僅提供信息存儲(chǔ)空間,僅對(duì)用戶上傳內(nèi)容的表現(xiàn)方式做保護(hù)處理,對(duì)用戶上傳分享的文檔內(nèi)容本身不做任何修改或編輯,并不能對(duì)任何下載內(nèi)容負(fù)責(zé)。
- 6. 下載文件中如有侵權(quán)或不適當(dāng)內(nèi)容,請(qǐng)與我們聯(lián)系,我們立即糾正。
- 7. 本站不保證下載資源的準(zhǔn)確性、安全性和完整性, 同時(shí)也不承擔(dān)用戶因使用這些下載資源對(duì)自己和他人造成任何形式的傷害或損失。
最新文檔
- PBGA疊層焊點(diǎn)可靠性技術(shù)研究.pdf
- 振動(dòng)環(huán)境下VDMOS器件可靠性研究.pdf
- MOS器件界面態(tài)特性研究及其可靠性分析.pdf
- 負(fù)載分擔(dān)下系統(tǒng)的可靠性分析.pdf
- InGaAs高遷移率MOS器件界面與可靠性研究.pdf
- VDMOS器件可靠性的研究.pdf
- 系統(tǒng)級(jí)封裝器件在熱-機(jī)械、濕熱應(yīng)力影響下可靠性分析.pdf
- PBGA封裝熱可靠性分析及結(jié)構(gòu)優(yōu)化.pdf
- IGBT器件熱可靠性的研究.pdf
- 功率VDMOS器件的高溫可靠性研究.pdf
- VLSI器件氧化層可靠性的研究.pdf
- PBGA封裝的工藝過程力學(xué)及其熱可靠性分析.pdf
- BGA混合焊點(diǎn)在熱循環(huán)負(fù)載下的可靠性研究.pdf
- 工藝參數(shù)對(duì)PBGA、CBGA和μBGA焊點(diǎn)可靠性的影響.pdf
- 電子元器件的貯存可靠性研究.pdf
- FCOB器件中芯片與底充膠界面層裂可靠性研究.pdf
- WLCSP器件的板級(jí)跌落可靠性研究.pdf
- AlGaN-GaN HEMT器件可靠性研究.pdf
- 功率UDMOS器件封裝及其可靠性研究.pdf
- NROM Flash器件、工藝及可靠性研究.pdf
評(píng)論
0/150
提交評(píng)論