單片T-R組件低噪聲放大器關(guān)鍵技術(shù)研究.pdf

1、有源相控陣雷達在通信、軍事、等方面應(yīng)用越來越廣泛且不斷成熟。隨著半導(dǎo)體工藝的不斷發(fā)展，有源相控陣雷達向單片方向發(fā)展。對把多個功能電路集成在一個芯片上的研究越來越熱。
　　 本項目主要是對應(yīng)用于相控陣雷達的四通道相控陣收發(fā)的單片雷達SOC芯片的研究，本人從事的主要是對收發(fā)組件(T/R組件)接受通道中低噪聲放大器(LNA)的研究和設(shè)計。
　　 LNA作為接受通道的第一級，其增益和噪聲很大程度上決定了整個T/R組件的噪聲性能，

2、是T/R組件中的關(guān)鍵模塊?，F(xiàn)代相控陣雷達的噪聲突出了很高的要求，基于以上背景，如何設(shè)計高增益低噪聲的LNA成為本課題的關(guān)鍵。
　　 本論文中，介紹了相控陣雷達的優(yōu)勢以及國內(nèi)外研究現(xiàn)狀，T/R組件在相控陣雷達中的作用及其主要原理；分析了低噪聲放大器的各個性能指標；分析了常用低噪聲放大器的結(jié)構(gòu)并對各結(jié)構(gòu)的性能指標進行了分析；分析了寬帶低噪聲放大器使用的幾種常用技術(shù)。
　　 最后根據(jù)項目需要，在TSMC0.35 RF SiGe

3、工藝上，采用cascode結(jié)構(gòu)完成了3GHz窄帶低噪聲放大器的設(shè)計，采用電流復(fù)用技術(shù)在3.1～10.6GHz超寬帶上實現(xiàn)了低噪聲放大器的設(shè)計。窄帶低噪聲放大器采用2V電壓供電，第一級的偏置電流為3.6mA，第二級偏置電流為2.7mA。仿真結(jié)果顯示：S11在3GHz小于-22dB，S22小于-10dB，噪聲系數(shù)在2.5dB以下，增益大于40dB。超寬帶低噪聲放大器采用2.5V電源供電，仿真結(jié)果顯示：S11小于-9dB，S22小于-10dB