基于SiP技術(shù)T-R組件關(guān)鍵技術(shù)研究.pdf

1、有源相控陣?yán)走_(dá)是當(dāng)代軍事領(lǐng)域中重要的武器裝備之一,能夠?qū)崿F(xiàn)預(yù)警搜索、敵我識(shí)別、跟蹤定位、精確制導(dǎo)、無源探測(cè)等多種功能,并且具有較強(qiáng)的多目標(biāo)接戰(zhàn)能力和良好的抗干擾性能。在有源相控陣?yán)走_(dá)技術(shù)中,T/R組件承擔(dān)著至關(guān)重要的角色,作為核心部件,T/R組件性能的好壞將直接決定雷達(dá)整機(jī)指標(biāo)的優(yōu)劣。而對(duì)于移動(dòng)武器平臺(tái),其搭載的有源相控陣?yán)走_(dá)對(duì)T/R組件的小型化、輕量化及低功耗又提出了更高的要求。在這種背景下,一種新型的封裝技術(shù)——SiP(system

2、 in package)系統(tǒng)級(jí)封裝技術(shù)的誕生則能夠很大程度上推動(dòng)T/R組件的小型化進(jìn)程。其能夠最大限度的實(shí)現(xiàn)T/R組件的小型化、高密度化及高可靠性。
　　本文基于SiP技術(shù)對(duì)T/R組件中的關(guān)鍵技術(shù)展開研究,主要完成了一下幾個(gè)方面的工作:
　　1、確定了組件的總體設(shè)計(jì)方案;對(duì)收發(fā)支路進(jìn)行了詳細(xì)的增益估算及功率估算;提出并詳細(xì)分析了實(shí)現(xiàn)該T/R組件三維封裝結(jié)構(gòu)的多層復(fù)合介質(zhì)基板技術(shù)。
　　2、創(chuàng)新性的提出了單層、三層膜片加

3、載式微帶-微帶穿層互連結(jié)構(gòu),并對(duì)該結(jié)構(gòu)進(jìn)行了理論分析、仿真驗(yàn)證和加工測(cè)試。測(cè)試結(jié)果表明,在所需要的頻段內(nèi),信號(hào)回波損耗大于20dB,插入損耗小于2dB。
　　3、對(duì)T/R組件電路方案中的金帶、金絲鍵合分情況進(jìn)行了仿真分析。為版圖的小型化、可靠性設(shè)計(jì)提供了有效依據(jù)。
　　4、對(duì)加工廠家給出的加工精度誤差以及基板材料的特性誤差,利用膜片加載式微帶-微帶互連結(jié)構(gòu)對(duì)T/R組件的加工誤差進(jìn)行了研究。分析了廠家加工誤差和基板材料誤差對(duì)該