新型NAND-Flash存儲管理優(yōu)化設計.pdf

1、本文主要研究在新型工藝的NAND-FLASH下的存儲管理，對主要的幾個算法進行優(yōu)化，并加入一些新算法，以適合新型工藝下的Flash特性，同時提高了性能。 近年來，F(xiàn)LASH存儲器件正在以驚人的速度發(fā)展，越來越多的電子設備開始采用Flash作為其存儲介質，而且容量越來越大，速度要求越來越高。由于NAND-Flash工藝的特殊性，必須設計專用的算法對Flash進行管理，而且算法的好壞在很大程度上影響存儲功能。Flash存儲管理已成為

2、研究Flash設備的重要課題。 近兩年隨著Flash工藝的改進，不但原有的單層單元（SLC）的Flash在訪問控制上有了變化，還出現(xiàn)了使用多層單元（MLC）新型工藝的Flash，并且將很快替代單層單元（SLC）Flash。新型的Nand-Flash在訪問方式上和內在特性上都與傳統(tǒng)的Flash有很大不同，傳統(tǒng)的Flash存儲管理算法在速度和穩(wěn)定性上都已不能適應新型Flash。本文在SLC-Flash管理算法的基礎上，分析了MLC-