2023年全國(guó)碩士研究生考試考研英語(yǔ)一試題真題（含答案詳解+作文范文）_第1頁(yè)
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1、本文主要研究在新型工藝的NAND-FLASH下的存儲(chǔ)管理，對(duì)主要的幾個(gè)算法進(jìn)行優(yōu)化，并加入一些新算法，以適合新型工藝下的Flash特性，同時(shí)提高了性能。 近年來(lái)，F(xiàn)LASH存儲(chǔ)器件正在以驚人的速度發(fā)展，越來(lái)越多的電子設(shè)備開(kāi)始采用Flash作為其存儲(chǔ)介質(zhì)，而且容量越來(lái)越大，速度要求越來(lái)越高。由于NAND-Flash工藝的特殊性，必須設(shè)計(jì)專用的算法對(duì)Flash進(jìn)行管理，而且算法的好壞在很大程度上影響存儲(chǔ)功能。Flash存儲(chǔ)管理已成為

2、研究Flash設(shè)備的重要課題。 近兩年隨著Flash工藝的改進(jìn)，不但原有的單層單元（SLC）的Flash在訪問(wèn)控制上有了變化，還出現(xiàn)了使用多層單元（MLC）新型工藝的Flash，并且將很快替代單層單元（SLC）Flash。新型的Nand-Flash在訪問(wèn)方式上和內(nèi)在特性上都與傳統(tǒng)的Flash有很大不同，傳統(tǒng)的Flash存儲(chǔ)管理算法在速度和穩(wěn)定性上都已不能適應(yīng)新型Flash。本文在SLC-Flash管理算法的基礎(chǔ)上，分析了MLC-

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