基于NAND FLASH陣列的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)技術(shù)研究.pdf

1、高速存儲(chǔ)系統(tǒng)在動(dòng)態(tài)信號(hào)測(cè)試等領(lǐng)域有著廣泛地應(yīng)。NAND FLASH作為一種非易失性存儲(chǔ)介質(zhì)，它以半導(dǎo)體作為記憶載體,比傳統(tǒng)的存儲(chǔ)設(shè)備更能承受溫度的變化、機(jī)械的振動(dòng)和沖擊,可靠性更高,易于實(shí)現(xiàn)高速度、低功耗的存儲(chǔ)系統(tǒng),是解決大容量存儲(chǔ)技術(shù)的理想方案。目前基于NAND FLASH陣列存儲(chǔ)器的大容量、高速存儲(chǔ)技術(shù)已經(jīng)成為存儲(chǔ)系統(tǒng)的一個(gè)研究熱點(diǎn)。
　　課題針對(duì)動(dòng)態(tài)信號(hào)測(cè)試中多通道數(shù)據(jù)記錄的需求，提出一種數(shù)據(jù)存儲(chǔ)技術(shù)解決方案，設(shè)計(jì)了基于NA

2、ND FLASH陣列流水線存儲(chǔ)的大容量高速數(shù)據(jù)存儲(chǔ)系統(tǒng)。文章首先介紹FLASH陣列式存儲(chǔ)的原理，進(jìn)而提出存儲(chǔ)系統(tǒng)總體的設(shè)計(jì)方案，并闡述了系統(tǒng)中的高速緩存、數(shù)據(jù)傳輸與控制以及軟件的實(shí)現(xiàn)方式；接著從系統(tǒng)軟硬件兩方面的具體實(shí)現(xiàn)過程上，重點(diǎn)分析了提高存儲(chǔ)速度、減小FIFO緩存容量等關(guān)鍵技術(shù)途徑，并設(shè)計(jì)了專門的DMA控制器，將FIFO緩存器的數(shù)據(jù)直接存儲(chǔ)到NAND FLASH陣列中。DMA控制器設(shè)計(jì)中采用了在不同的FLASH存儲(chǔ)器之間切換的流水線