氧化鋅納米線的合成及其在碳微陣列上的集成工藝的研究.pdf

1、隨著信息技術的迅猛發(fā)展，納米技術不斷的進步，納米材料由于其擁有的特殊的性能受到越來越多的關注。納米ZnO有許多特點，其帶隙寬度為3.37eV，而激子束縛能60meV，大于室溫下的熱離合能，又可以在紫外光的激發(fā)下發(fā)生輻射。氧化鋅在太陽能電池、短波長發(fā)光器件、壓電傳感器等領域有著廣闊的應用前景。如何進行氧化鋅納米線的可控生長是研究的重點，本文通過多種方法進行了納米ZnO生長研究，探究了不同生長機制下ZnO的不同形貌和特性。
　　本文首

2、先簡單是介紹了納米科技，然后從氣相生長法和液相生長法兩個方面，介紹了一些生長納米結構的方法，分析了不同方法的特點和生長機理，然后介紹了一些表征納米材料各方面性能的主要手段及其特點。
　　接下來介紹了納米ZnO的特性及其國內(nèi)外研究現(xiàn)狀，并闡述了納米ZnO的應用。
　　然后我們先用濕法中的水熱法進行了ZnO納米線的生長實驗的研究，分析了生長時間、種子層的制備等參數(shù)在水熱法生長ZnO中的意義，并對生長得到的ZnO進行了外貌、結構、

3、成分等各方面的表征和研究，對其生長機理進行了探究。
　　接著我們用干法中的化學氣相沉積法，并結合已有的C-MEMS（Carbon Micro-Electro-Mechanical System）工藝平臺，進行了干法制備ZnO的生長研究。主要介紹了C-MEMS工藝，在制備中通過添加氧化鋅粉末或者濺射氧化鋅等不同的方法來提供反應源，最后對不同方式生長得到的氧化鋅進行了外貌、結構等各方面的表征和研究，探究各種溫度等參數(shù)化學氣相沉積法制備