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文檔簡介
1、CMP在半導體集成電路中是非常重要工藝,化學機械研磨同樣是一個新型的工藝,在半導體生產(chǎn)的過程中起著舉足輕重的作用,集成電路的前緣技術就是在低k介質材料基礎上設計3個蓋層的復雜結構,上面的蓋層可以用TEOS四乙基原硅酸鹽和氮化硅(SiN),下面的層可以在低 k介質之上用氮碳化硅,碳化硅和CDO直接生成。所以,對于適合銅CMP的選擇性漿料,除了具備高去除率之外,必須在去除上面蓋層后才能夠在下面的介質層表面上去終止的漿料。
Rohm
2、和Haas電子材料已經(jīng)開發(fā)出既能夠去除TaN，TEPS，SiN，CDO,這些材料的任一化合物的任一系列漿料,都能夠在TEOS、SiN、CDO、SiCN和SiC的任何某一種或某兩種薄膜表面而終止,這完全取決于特殊漿料的配方設計,通過一兩種添加劑控制去除率先達到要求。系列漿料中的大多數(shù)漿料研磨劑的含量都較低,在低壓力的情況下具有良好的去除率,為了適應很多種行業(yè)的需求,高低pH值都可以使用。很多漿料是可調的,用一種乃至兩種添加劑控制薄膜的去除
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