新型表面刻蝕裝置的設(shè)計(jì).pdf

1、隨著化石能源的耗盡，太陽能將成為未來的主要能源。要在地面上普及太陽電池的應(yīng)用，關(guān)鍵在于制作材料的廉價(jià)化。本學(xué)位論文圍繞等離子體制備太陽級硅的技術(shù)開展了一系列研究工作。
　　 平行電極反應(yīng)室純化硅的實(shí)驗(yàn)證明，硅粉在經(jīng)過刻蝕提純后，其雜質(zhì)含量有了明顯的降低，并且表面平整度也得到提高。但實(shí)驗(yàn)結(jié)果與理論計(jì)算值有約25%的誤差，究其原因主要是實(shí)驗(yàn)裝置的不完善等。其缺點(diǎn)主要體現(xiàn)在粉粒在反應(yīng)室中的滯留時(shí)間過短和不能保證粉粒在沉降過程中始終在刻

2、蝕速率最大處。
　　 針對直立平行板反應(yīng)室的缺點(diǎn)，本文設(shè)計(jì)了一種帶有振動(dòng)陰極且陰極板有一定傾斜角的新型刻蝕裝置。在這種裝置中粉體被振動(dòng)陰極彈出后在陰極表面做拋物線運(yùn)動(dòng)，每次跳過一個(gè)很小的距離后又重新彈跳，彈跳后迎碰離子的面作隨機(jī)改變而使表面刻蝕均勻，并能始終保持在陰極表面附近彈跳下滑，從而保證了刻蝕速率最高。根據(jù)該種反應(yīng)室的結(jié)構(gòu)特點(diǎn)，建立粉粒運(yùn)動(dòng)學(xué)模型和等離子體鞘層模型，將影響粉粒在反應(yīng)室中滯留時(shí)間的微觀因素通過宏觀工藝參數(shù)表示