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文檔簡介
1、天津大學碩士學位論文寬禁帶SiC材料中雜質的分析研究姓名:王奕申請學位級別:碩士專業(yè):電子與通信工程指導教師:姚素英何秀坤20081001ABSTRACTSiCcrystalisregardedasthe—thirderasemiconductoraswellaswide—bandgapsemiconductororhightemperaturesemiconductorSiCattractsmuchattentionincurrent
2、semiconductorresearchSiCisanewlyemergingmaterialforhightemperature,highpower,andhighfrequencydeviceapplicationsThatisveryimportanttoaccuratelydetermineimpuritiesofSiCbecausethatwewantnotonlyhighpuritySiCcrystalbutalsolig
3、htdopingorheavydopingSiCInthisthesis,aseriesofmodernchemicalanalyticaltechniqueswereusedtostudytheimpuritiesinSiCcrystalandSiCpowderTheimpuritiesonthesurfaceofSiCpowderwerestudied,tooTheuncertaintyinanalyticalmeasurement
4、wasevaluatedinthisthesisFollowingsignificantresultswereobtained:1AmeasurementmethodforaccuratelydeterminingtheimpuritiesinSiCcrystalandSiCpowderandtheimpuritiesonthesurfaceofSiCpowderbymeltedICPmethodsandthemixacidsextra
5、ction_ICPmethod2Waterextraction—ICmethodwasfirstlyusedtodeterminetheanionsonthesurfaceofSiCpowderWeknowthattherearefewanionsonthesurfaceofSiCpowderespeciallythehalides3Theuncertaintyinanalyticalmeasurementwasevaluatedint
6、histhesisByusingExcel,thecalculationbecamemoreeasilyTheresultsofevaluationareveryimportanttoimproveanalyticalmethodsThisstudyisapartofthestudyofmyinstituteTheresultsofthisstudyisveryusefultotheprocuctionofSiCcrystalKEYWO
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