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文檔簡介
1、半導(dǎo)體光催化技術(shù),由于其具有“節(jié)能”和“環(huán)保”的雙重意義,因此已經(jīng)在污水的處理、抑菌殺菌以及環(huán)境的凈化等領(lǐng)域得到廣泛的研究與應(yīng)用。然而,在半導(dǎo)體光催化劑的研究中,涉及到的多數(shù)是寬禁帶的半導(dǎo)體材料,如ZnO,TiO2,SnO2等等,這些半導(dǎo)體材料由于本身具有大的帶隙能,因此它們對太陽光能的利用率并不高,而且由于光生電子與空穴的復(fù)合特性,使單一的半導(dǎo)體光催化劑在開發(fā)利用方面受到了限制。因此需要對單一的半導(dǎo)體光催化劑進行改性處理,以達到提高半
2、導(dǎo)體光催化活性的目的。硫化亞銅(Cu2S)是一種窄禁帶(Eg=1.2-1.24 eV)的p型半導(dǎo)體材料,具有良好的化學和熱穩(wěn)定性能,是一種良好的光電材料,在太陽光能利用等領(lǐng)域有著巨大的應(yīng)用潛能。
本論文以納米Cu2S及其復(fù)合材料作為研究對象。采用多元醇法制備樣品并通過XRD,F(xiàn)ESEM,EDS,XPS,F(xiàn)TIR和UV-Vis DRS的表征方法對樣品進行表征,并研究不同因素對樣品的結(jié)構(gòu)、形貌以及光催化活性的影響。論文的研究工作分
3、為以下三個部分:
1.采用高溫多元醇法,以醋酸銅為銅源,一縮二乙二醇(DEG)為溶劑和還原劑,通過改變合成條件,制備出不同結(jié)構(gòu)和形貌的Cu2S納米材料,并分析不同結(jié)構(gòu)和形貌對樣品光催化性能的影響。實驗結(jié)果表明,當Cu/S摩爾比為1:1.5和1:1時,樣品的XRD中出現(xiàn)了CuS的雜質(zhì)峰;然而,當增大Cu/S摩爾比時,樣品的XRD圖譜中只存在Cu2S的衍射峰。此外,樣品對甲基橙溶液都表現(xiàn)出一定的光催化降解能力。當Cu/S摩爾比為2
4、:1時,樣品的平均晶粒尺寸隨著體系反應(yīng)溫度的增加而增大,因此樣品的光催化性能有所下降。綜合樣品的結(jié)構(gòu)和形貌,當Cu/S摩爾比為2:1,在反應(yīng)溫度為180℃的條件下,樣品的光催化性能最佳。
2.以多壁碳納米管(MWCNTs)為載體,醋酸銅為銅源,聚乙烯吡咯烷酮(PVP)為表面活性劑,采用多元醇法制備Cu2S/MWCNTs納米復(fù)合材料,并研究不同的銅源含量以及不同的PVP含量對樣品的結(jié)構(gòu)、形貌以及光催化性能的影響。當銅源含量較小時
5、,負載在MWCNTs管壁上的Cu2S納米顆粒大小均勻、分散效果較好,因而樣品的光催化性能較好;當增加銅源的含量時,特別當銅源含量增加到0.05 mol/L時,樣品的光催化性能下降。當銅源含量為0.02 mol/L時,樣品的光催化性能隨著PVP含量的增加而增加,并且當PVP的含量增加到0.5g時,負載在MWCNTs管壁上的Cu2S納米顆粒大小均勻、分散效果最好,因此樣品的性能達到最佳;然而,當繼續(xù)增加PVP的含量時,特別當PVP的含量增加
6、到0.9 g時,由于部分的Cu2S納米顆粒未成功負載在MWCNTs的管壁上,因此導(dǎo)致樣品的光催化性能明顯下降。此外,在本部分內(nèi)容中,我們也分析了Cu2S/MWCNTs復(fù)合材料的光催化機理。
3.同樣地,在表面活性劑PVP的輔助下,以醋酸銅為銅源,DEG為溶劑和還原劑,通過高溫多元醇法制備Cu2S/T-ZnOw納米復(fù)合光催化劑,并研究不同的Cu/Zn摩爾比以及不同的PVP含量對樣品的結(jié)構(gòu)、形貌以及光催化性能的影響。當PVP的含量
7、為0.5 g時,Cu2S納米顆粒的負載量隨著Cu/Zn摩爾比的增加而增加;特別當Cu/Zn摩爾比增加到10%時,Cu2S納米顆粒出現(xiàn)比較大的團聚。當Cu/Zn≤4%時,樣品的光催化活性隨著Cu/Zn摩爾比的增加而增加;然而,當繼續(xù)增加Cu/Zn摩爾比時,樣品的光催化活性反而下降。在Cu/Zn摩爾比為2%的條件下,當PVP的含量≤0.1 g時,PVP含量越高,樣品的光催化活性也越高,并且當PVP的含量為0.3 g時,Cu2S納米顆粒的大小
8、均勻、分散效果最佳,因此樣品的光催化活性最好;然而,當PVP的含量>0.1 g時,樣品的光催化性能下降。特別當PVP的含量增加到0.5 g時,由于部分的Cu2S納米顆粒未成功沉積在T-ZnOw表面上,導(dǎo)致樣品的光催化活性下降很多,這說明表面活性劑PVP的含量對于樣品形貌的控制以及光催化活性都有很大的影響。此外,在本部分內(nèi)容中,我們也對Cu2S/T-ZnOw復(fù)合光催化劑的光催化機理進行了分析。
綜上所述,本論文采用高溫多元醇法成
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